CN114944421A 一种沟槽型碳化硅绝缘栅场效应晶体管及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114944421A(43)申请公布日2022.08.26

(21)申请号202210630218.X

(22)申请日2022.06.06

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平陈伟张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

专利代理师霍淑利

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

H01L29/16(2006.01)

H01L29/739(2006.01)

H01L21/331(2006.01)

权利要求书3页说明书9页附图17页

(54)发明名称

一种沟槽型碳化硅绝缘栅场效应晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN114944421A本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种沟槽型SiCMOSFET及其制作方法。本发明通过倾斜离子注入在沟槽一角形成L型重掺杂JFET区，因为比漂移区更高的浓度，具有更高的载流子密度，从而减小了器件的比导通电阻和导通压降。本发明采用分离鳍状栅结构，分离栅减