CN115410920A 半导体器件的制作方法以及半导体器件 （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115410920A(43)申请公布日2022.11.29

(21)申请号202211167385.1

(22)申请日2022.09.23

(71)申请人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

地址510535广东省广州市开发区开源大

道136号A栋

申请人中国科学院微电子研究所

(72)发明人任宇辉亨利·H·阿达姆松孔真真

(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240

专利代理师王晓玲

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

HO1L21/02(2006.01)

HO1LHO1L

HO1L

21/18(2006.01)

29/16(2006.01)

29/78(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图8页

(54)发明名称

半导体器件的制作方法以及半导体器件

(57)摘要

A本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：首先，提供包括层叠的第一衬底以及第一预备衬底的第一基底，且提供包括层叠的第二衬底以及第一氧化层的第二基底；然后，去除部分第一预备衬底，剩余的第一预备衬底形成包括本体部以及间隔设置于本体部上的多个凸出部的第三衬底；之后，在第三衬底的远离第一衬底的表面上形成第二氧化层，且在第二氧化层的远离第三衬底的表面上键合第二基底，第一氧化层与第二氧化层接触；之后，去除键合后结构的第一衬底以及第三衬底的本体部和/或部分凸出部，得到预备结构；最后，在预备结构中的第二氧化层的裸露表面上形成器

A

CNCN115410920

提供第一基底以及第二基底，所述第一基底包括层叠的

第一衬底以及第一预备衬底，所述第二基底包括层叠的

第二衬底以及第一氧化层；

去除部分所述第一预备衬底，剩余的所述第一预备衬底

形成第三衬底，所述第三衬底包括本体部以及间隔设置

于所述本体部上的多个凸出部；

在所述第三衬底的远离所述第一衬底的表面上形成第二

氧化层，且在所述第二氧化层的远离所述第三衬底的表

面上键合所述第二基底，所述第一氧化层与所述第二氧

化层接触；

去除键合后结构的所述第一衬底以及所述第三衬底的所

述本体部和/或部分所述凸出部，得到预备结构，剩余

的多个所述凸出部形成多个目标凸出部；

在所述预备结构中的所述第二氧化层的裸露表面上形成

器件结构，得到目标结构，所述器件结构与所述目标凸

出部接触。

S101

S102

S103

S104

S105

CN115410920A权利要求书1/2页

2

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一基底以及第二基底，所述第一基底包括层叠的第一衬底以及第一预备衬底，所述第二基底包括层叠的第二衬底以及第一氧化层；

去除部分所述第一预备衬底，剩余的所述第一预备衬底形成第三衬底，所述第三衬底包括本体部以及间隔设置于所述本体部上的多个凸出部；

在所述第三衬底的远离所述第一衬底的表面上形成第二氧化层，且在所述第二氧化层的远离所述第三衬底的表面上键合所述第二基底，所述第一氧化层与所述第二氧化层接触；

去除键合后结构的所述第一衬底以及所述第三衬底的所述本体部和/或部分所述凸出部，得到预备结构，剩余的多个所述凸出部形成多个目标凸出部；

在所述预备结构中的所述第二氧化层的裸露表面上形成器件结构，得到目标结构，所述器件结构与所述目标凸出部接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第三衬底的远离所述第一衬底的表面上形成第二氧化层，包括：

在所述第三衬底的远离所述第一衬底的表面上形成预备氧化层；

去除部分所述预备氧化层，使得所述第三衬底的所述凸出部裸露，剩余的所述预备氧化层形成第三氧化层；

在所述第三氧化层以及所述第三衬底的所述凸出部的裸露表面上形成第四氧化层，所述第三氧化层以及所述第四氧化层形成所述第二氧化层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，去除键合后结构的所述第一衬底以及所述第三衬底的所述本体部和/或部分所述凸出部，包括：

去除所述第一衬底，且去除所述第三衬底的所述本体部和/或部分所述凸出部，使得所述第三氧化层裸露；

去除所述第三氧化层，使得部分所述第四氧化层裸露。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，去除部分所述预备氧化层，使得所述第三衬底的所述凸出部裸露，包