碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）测试方法 第1部分：开关动态参数.docx

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《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）测试方法第1部分：开关动态参数》标准立项与发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheStandardizationProjectof“TestMethodsforSiliconCarbideMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistors(SiCMOSFETs)–Part1:SwitchingDynamicParameters”

摘要

本报告旨在系统阐述《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC