CN115172456A 一种氮化镓器件结构及其制作方法 （徐州金沙江半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115172456A(43)申请公布日2022.10.11

(21)申请号202210688097.4

(22)申请日2022.06.17

(71)申请人徐州金沙江半导体有限公司

地址221000江苏省徐州市徐州经济技术

开发区徐海路99号

(72)发明人胡旭宏

(74)专利代理机构徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙)32353

专利代理师毕金鹏

(51)Int.CI.

HO1L29/45(2006.01)

HO1L29/20(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

CN115172456A

CN115172456A

(57)摘要

本发明公开了一种氮化镓器件结构，属于微电子技术领域，本结构自下而上包括衬底层、缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝隔离层、铝镓氮势垒层、帽层，所述帽层设有穿透至铝镓氮势垒层的开口，所述开口内在铝镓氮势垒层的上表面形成有Zr/Ti/Al合金层，Zr/Ti/Al合金层上表面形成有阻挡金属层，阻挡金属层上表面形成有保护金属层，还公开了本结构高温退火的制作方法，通过铝镓氮和Zr/Ti/Al合金层的设置，使得本发明提出的欧姆接触可以在现有工艺基础上降低欧姆接触电阻10-20%,相应提高欧姆接触的稳定性和可靠性，以及器件工作电流和输出功率。

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CN115172456A权利要求书1/1页

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1.一种氮化镓器件结构，其特征在于：自下而上包括衬底层(1)、缓冲层(2)、氮化镓沟道层(3)、氮化铝隔离层(4)、铝镓氮势垒层(5)、帽层(6),所述帽层(6)设有穿透至铝镓氮势垒层(5)的开口，所述开口内在铝镓氮势垒层(5)的上表面形成有Zr/Ti/Al合金层，Zr/Ti/

A1合金层上表面形成有阻挡金属层(8),阻挡金属层(8)上表面形成有保护金属层(9)。

2.根据权利要求1所述的氮化镓器件结构，其特征在于，所述衬底层(1)为硅，蓝宝石或碳化硅衬底。

3.根据权利要求1所述的氮化镓器件结构，其特征在于，所述缓冲层(2)为氮化铝或氮化镓缓冲层。

4.根据权利要求1所述的氮化镓器件结构，其特征在于，所述Zr/Ti/A1合金层的金属厚度分别是Zr为2～20nm,Ti为2～20nm,Al为10～100nm。

5.根据权利要求1所述的氮化镓器件结构，其特征在于，所述帽层(6)为Si?N?或GaN帽层。

6.根据权利要求1所述的氮化镓器件结构，其特征在于，所述阻挡金属层(8)的材料为Ti或Ni或Mo,阻挡金属层(8)的厚度为20～100nm。

7.根据权利要求1所述的氮化镓器件结构，其特征在于，所述保护金属层(9)的金属材料为Au,保护金属层(9)的厚度为30～300nm。

8.一种氮化镓器件制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1-7中任意一项所述的氮化镓器件结构，包括如下步骤：在衬底层(1)上利用MOCVD工艺，依次生长缓冲层(2)、氮化镓沟道层(3)、氮化铝隔离层(4)、铝镓氮势垒层(5)和帽层(6);在帽层(6)开孔蒸镀Zr/Ti/Al

合金层、阻挡金属层(8)、保护金属层(9);使用高温退火炉在N?环境中，以700～1000℃,进行30～120秒的退火，高温退火后铝镓氮势垒层(5)与Zr/Ti/A1合金层合金化形成欧姆接触。

CN115172456A说明书1/5页

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一种氮化镓器件结构及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种氮化镓器件结构及其制作方法。

背景技术

[0002]氮化镓(GaN)材料和器件由于其宽禁带宽度、高击穿电场、高电子饱和漂移率以及很强的抗辐射能力和良好的化学稳定性等特性而备受青睐，成为制作微波射频器件、功率器件的优良选择，具有高温、大功率、高频和抗辐照等得天独厚的优势。欧姆接触技术是实现高性能GaN器件的关键技术之