入学考试大纲：半导体物理.pdfVIP

入学考试大纲

考试科目名称：

一、考试要求：

全面系统地掌握的基本概念、基本原理和过程，并能够运用理论对实际问题进行分析

和计算。

二、考试内容：

1）中的电子状态

a:导体的晶格结构和结合性质

b:中的电子状态和能带

c:中的电子有效质量

d:本征的导电机构空穴

e:回旋

f:硅和锗的能带结构

2）中杂质和能级

a:硅、锗晶体中的杂质能级

b:、位错能级

3）中载流子的统计分布

a:状态密度

b:能级和载流子的统计分布

c:本征的载流子浓度

d:杂质的载流子浓度

e:一般情况下的载流子统计分布

f:简并

4）的导电性

a:载流子的漂移

b:载流子的散射

c:迁移率与杂质浓度和温度的关系

d:电阻率及其与杂质浓度和温度的关系

e:强电场下的热载流子效应

5）非平衡载流子

a:非平衡载流子的产生和复合

b:非平衡载流子的

c:准能级

e:复合理论

d:陷阱效应

e:载流子的扩散

f:载流子的漂移，爱因斯坦关系式

g:连续性方程式

6）金属和的接触

a:金属接触及其能带图

b:金属接触整流理论

c:少数载流子的注入和欧姆接触

7)表面与MIS结构

a:表面态

b:表面电场效应

c:MIS结构的电容和电压特性

d:硅-二氧化硅系统的性质

e:表面电导及迁移率

8)霍尔效应和压阻效应

三、考试大纲援引

《学》工业社朱秉升刘恩科