CN115020585A 用于制备忆阻器的功能层、忆阻器以及相应的制作方法 （浙江大学杭州国际科创中心）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115020585A(43)申请公布日2022.09.06

(21)申请号202210794343.4

(22)申请日2022.07.07

(71)申请人浙江大学杭州国际科创中心

地址310000浙江省杭州市市心北路99号5

楼

(72)发明人王佩剑蓝善贵郑智元潘宝俊张致翔俞滨

(74)专利代理机构杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙)33260

专利代理师姚宇吉

(51)Int.CI.

HO1L45/00(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图2页

(54)发明名称

用于制备忆阻器的功能层、忆阻器以及相应的制作方法

(57)摘要

CN115020585A本发明涉及忆阻器技术领域，公开了一种用于制备忆阻器的功能层、忆阻器以及相应的制作方法，其中，功能层包括二维电介质层，所述二维电介质层引入有相应的空位缺陷。使用本发明的功能层使得表征忆阻器性能的开关比更大，而且制作得到的忆阻器器件不需要和现有技术一样需要在开始阶段先施加一个较大电压的初始化

CN115020585A

CN115020585A权利要求书1/1页

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1.一种用于制备忆阻器的功能层，其特征在于，包括二维电介质层，其中，所述二维电介质层引入有相应的空位缺陷。

2.根据权利要求1所述的用于制备忆阻器的功能层，其特征在于，所述二维电介质层的厚度范围为1nm-100nm;所述空位缺陷的密度范围为101?-1013cm?3;所述二维电介质层的材料为二维氮化硼或者二维金属氧化物，所述二维金属氧化物为二维三氧化钼、二维三氧化钨、二维三氧化二锑其中的一种。

3.根据权利要求1所述的用于制备忆阻器的功能层，其特征在于，所述二维电介质层通过等离子体处理引入有相应的空位缺陷；其中，当所述二维电介质层的材料为氮化硼时，通过氮等离子体进行处理，对应引入的空位缺陷为硼空位缺陷；当所述二维电介质层的材料为二维三氧化钼、二维三氧化钨、二维三氧化二锑其中的一种时，通过氩等离子体进行处理，对应引入的空位缺陷为氧空位缺陷。

4.一种包含如权利要求1至3任一项所述的功能层的忆阻器，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底表面的底电极、位于所述底电极表面的功能层和位于所述功能层表面的顶电极。

5.根据权利要求4所述的忆阻器，其特征在于，所述衬底的材料为带有氧化层的硅片、蓝宝石、SrTiO?、氧化铟锡、石英、玻璃、云母片、氮化硅、氧化铝、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷其中的一种；所述底电极和所述顶电极的材料都为金属或柔性导电材料，所述金属为金、铂、钯其中的一种，所述柔性导电材料为氧化铟锡、石墨烯其中的一种。

6.一种如权利要求1至3任一项所述的功能层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供二维电介质层；

将所述二维电介质层放入等离子体反应腔中进行等离子体处理，在所述二维电介质层引入相应的空位缺陷，从而得到引入相应空位缺陷的二维电介质层。

7.根据权利要求6所述的功能层的制作方法，其特征在于，在所述等离子体反应腔中通入的等离子体为惰性气体等离子体，所述惰性气体的流速为5sccm-50sccm,功率为10W-500W,处理时间为5min-180min;其中，当二维电介质层的材料为二维氮化硼时，通入的所述惰性气体等离子体为氮等离子体，从而在所述二维电介质层引入硼空位缺陷，当二维电介质层的材料为二维金属氧化物时，通入的所述惰性气体等离子体为氩等离子体，从而在所述二维电介质层引入氧空位缺陷。

8.一种如权利要求4或5所述的忆阻器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底表面制备底电极；

将功能层转移到所述底电极表面；

在所述功能层表面制备顶电极。

9.根据权利要求8所述的的忆阻器的制作方法，其特征在于，在所述衬底表面制备底电极的步骤具体包括：通过蒸镀、溅射和转移方法其中的一种方式在所述衬底表面制备底电极。

10.根据权利要求8所述的忆阻器的制作方法，其特征在于，在所述功能层表面制备顶电极具体包括：通过转印方法在所述功能层表面制备顶电极。

CN115020585A说明书1/6页

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用于制备忆阻器的功能层、忆阻器以及相应的制作方法