CN114937690A 一种平面型碳化硅绝缘栅双极晶体管及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114937690A(43)申请公布日2022.08.23

(21)申请号202210631158.3

(22)申请日2022.06.06

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平陈伟张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

专利代理师霍淑利

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

29/06(2006.01)

29/16(2006.01)

29/739(2006.01)

21/331(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图16页

(54)发明名称

一种平面型碳化硅绝缘栅双极晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN114937690A本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种平面型碳化硅绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明通过在传统IGBT的基础上分别对器件的背面和表面进行了结构优化。在背面，具有两层场截止层，两层之间保留了N-漂移区，以有效改善短路关断过程中dv/dt过大而引起的失效，提高器件的短路可靠性。在表面，结构优化分为两部