半导体异质结电子迁移率及压力效应的深度剖析与应用探索.docx

半导体异质结电子迁移率及压力效应的深度剖析与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子学领域，半导体异质结凭借其独特的物理性质，成为构建高性能电子器件的核心要素，在光、电子、热等多个领域有着广泛应用。半导体异质结通常是由两种或多种不同禁带宽度、电子亲和能的半导体材料组合而成，不同材料之间的能带结构存在差异，这种差异使得异质结具备了天然的电学和光电性能优势。从通信领域的高速光电器件，到能源领域的高效太阳能电池，再到计算领域的超高速晶体管，半导体异质结无处不在，为推动现代科技的进步发挥着不可或缺的作用。

电子迁移率作为衡量半导体载流子输运性质的关键参数，直接决定了半导体器件的电学性能和