CN114566432A 半导体器件的制作方法以及半导体器件 （合肥新晶集成电路有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114566432A(43)申请公布日2022.05.31

(21)申请号202210463029.8

(22)申请日2022.04.29

(71)申请人合肥新晶集成电路有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区综合保

税区内西淝河路88号

(72)发明人黄重育蔡清彦吴建兴吴佳特

(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240

专利代理师霍文娟

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图5页

(54)发明名称

半导体器件的制作方法以及半导体器件

(57)摘要

CN114566432A本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：提供预备基底，预备基底包括衬底以及位于衬底上的栅极；形成步骤，在预备基底的裸露表面上形成第一介质层；去除步骤，至少去除衬底的水平表面上以及栅极的水平表面上的第一介质层，剩余的第一介质层形成位于栅极两侧的子侧墙，得到基底；循环步骤，依次进行形成步骤以及去除步骤至少一次，直到栅极两侧的第一侧墙的在水平方向上的厚度达到预定厚度，第一侧墙由多个子侧墙构成，水平方向与基底的厚度方向垂直；对第一侧墙两侧的衬底进行离子注入，形成轻掺杂源区和/或

CN114566432A

提供步骤，提供预备基底，所述预备基底包

提供步骤，提供预备基底，所述预备基底包

括衬底以及位于所述衬底上的栅极；

形成步骤，在所述预备基底的裸露表面上形成第

一介质层；

去除步骤，至少去除所述衬底的水平表面上以及

所述栅极的水平表面上的所述第一介质层，剩余

的所述第一介质层形成位于所述栅极两侧的子侧

墙，得到基底，所述水平表面与所述基底的厚度

方向垂直；

循环步骤，依次进行所述形成步骤以及所述去除

步骤至少一次，直到所述栅极两侧的第一侧墙的

在水平方向上的厚度达到预定厚度，所述第一侧

墙由多个所述子侧墙构成，所述水平方向与所述

基底的厚度方向垂直；

注入步骤，对所述第一侧墙两侧的所述衬底进行离子注入，形成轻掺杂源区和/或轻掺杂漏区。

S101

S102

S103

S105

CN114566432A权利要求书1/1页

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1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供步骤，提供预备基底，所述预备基底包括衬底以及位于所述衬底上的栅极；

形成步骤，在所述预备基底的裸露表面上形成第一介质层；

去除步骤，至少去除所述衬底的水平表面上以及所述栅极的水平表面上的所述第一介质层，剩余的所述第一介质层形成位于所述栅极两侧的子侧墙，得到基底，所述水平表面与所述基底的厚度方向垂直；

循环步骤，依次进行所述形成步骤以及所述去除步骤至少一次，直到所述栅极两侧的第一侧墙的在水平方向上的厚度达到预定厚度，所述第一侧墙由多个所述子侧墙构成，所述水平方向与所述基底的厚度方向垂直；

注入步骤，对所述第一侧墙两侧的所述衬底进行离子注入，形成轻掺杂源区和/或轻掺杂漏区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述循环步骤中，相邻的两次所述形成步骤中形成的所述第一介质层的材料的不同。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成步骤包括以下之一：

采用炉管工艺在所述预备基底的裸露表面上形成氧化物层或者氮化物层，得到所述第一介质层，或者

采用气相沉积法在所述预备基底的裸露表面上形成氧化物层或者氮化物层，得到所述第一介质层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除步骤包括：

将形成有所述第一介质层的所述预备基底置于反应室中；

从所述反应室的顶部向所述反应室中通入刻蚀气体，以去除所述栅极两侧部分的所述第一介质层、所述衬底的水平表面上以及所述栅极的水平表面上的所述第一介质层，得到所述子侧墙。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括氯气或者四氟化碳。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述注入步骤之后，所述方法还包括：

在所述第一侧墙远离所述栅极的表面上形成第二侧墙；

对所述轻掺杂源区和/或所述轻掺杂漏区进行退火。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底的材料包括硅，所述栅极的材料包括多晶硅，所述第一侧墙的材料包括二氧化硅、氮化硅以及氮化钛中的至少一种。

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