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- 2026-02-03 发布于重庆
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN114540787A(43)申请公布日2022.05.27
(21)申请号202111390867.9
(22)申请日2021.11.23
(71)申请人京东方科技集团股份有限公司
地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人成都京东方光电科技有限公司
(72)发明人何庆燕青青王格袁晓敏蒋志亮
(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291
专利代理师丁睿
(51)Int.CI.
C23C16/04(2006.01)
HO1L51/00(2006.01)
HO1L51/56(2006.01)
权利要求书1页说明书6页附图11页
(54)发明名称
一种掩膜板、其制作方法及显示面板
(57)摘要
CN114540787A本发明提供了一种掩膜板、其制作方法及显示面板,其中,所述掩膜板包括:本体,所述本体设置有贯穿厚度方向且呈阵列排布的多个开口结构,所述多个开口结构用于沉积功能材料至显示面板的显示区;所述本体分为位于在各所述开口结构之间的分割区,以及包围各所述开口结构的框体区,所述本体在所述分割区设置有相互独立的至少两个开槽结构,且各所述开槽结构与相
CN114540787A
CN114540787A权利要求书1/1页
2
1.一种掩膜板,其特征在于,包括:
本体,所述本体设置有贯穿厚度方向且呈阵列排布的多个开口结构,所述多个开口结构用于沉积功能材料至显示面板的显示区;
所述本体分为位于在各所述开口结构之间的分割区,以及包围各所述开口结构的框体区,所述本体在所述分割区设置有相互独立的至少两个开槽结构,且各所述开槽结构与相邻的所述开口结构之间具有设定间距。
2.如权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,至少部分相邻的两个所述开口结构之间的分割区设置有多个所述开槽结构。
3.如权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述分割区包括沿着所述开槽结构的列方向延伸的第一分割区,所述开槽结构包括设置在所述第一分割区内的多个沿列方向排列的第一开槽结构,且在行相邻的两个所述开口结构之间设置有多个所述第一开槽结构。
4.如权利要求2或3所述的掩膜板,其特征在于,所述分割区包括沿着所述开槽结构的行方向延伸的第二分割区,所述开槽结构包括设置在所述第二分割区内的多个沿行方向排列的第二开槽结构,且在列相邻的两个所述开口结构之间设置有多个所述第二开槽结构。
5.如权利要求3所述的掩膜板,其特征在于,所述开槽结构还包括位于所述第一分割区内且位于各所述第一开槽结构与相邻的所述开口结构之间的第三开槽结构。
6.如权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,所述第三开槽结构在所述第一分割区内沿列方向的长度大于各所述第一开槽结构在所述列方向的长度之和。
7.如权利要求6所述的掩膜板,其特征在于,所述第三开槽结构沿贯穿所述本体的厚度方向的槽体深度,不大于所述第一开槽结构沿贯穿所述本体的厚度方向的槽体深度。
8.如权利要求1-7任一项所述的掩膜板,其特征在于,至少部分所述开槽结构沿贯穿所述本体的厚度方向的槽体深度,小于所述本体的厚度的一半。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,包括:
对所述本体进行图案化处理,形成所述至少两个开槽结构以及所述多个开口结构。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板采用如权利要求1-8任一项所述的掩膜板制作形成。
CN114540787A说明书1/6页
3
一种掩膜板、其制作方法及显示面板
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种掩膜板、其制作方法及显示面板。
背景技术
[0002]针对有机发光半导体(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)的功能层常基于掩膜板采用化学气相沉积(CVD)进行镀膜。比如,对于薄膜封装层(ThinFilmEncapsulation,TFE)中的常用于阻水层的无机膜层可以采用CVD进行镀膜。然而,镀膜过程中,由于掩膜板与基板之间不可避免地存在间隙(Gap),极易出现阴影(shadow)区
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