CN114496727A 集成电路组件及其制作方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114496727A(43)申请公布日2022.05.13

(21)申请号202111622663.3

(22)申请日2021.12.28

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市武汉东湖新技

术开发区未来三路88号

(72)发明人乔龙云李漾

(74)专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司11449

专利代理师蔡纯张靖琳

(51)Int.CI.

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21/02(2006.01)

21/98(2006.01)

25/18(2006.01)

27/11575(2017.01)

27/11582(2017.01)

权利要求书2页说明书8页附图4页

(54)发明名称

23集成电路组件及其制作方法

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(57)摘要

CN114496727A本申请公开了一种集成电路组件及其制作方法。该制作方法包括：将多个晶圆进行键合，多个晶圆至少包括第一晶圆和第二晶圆，修整第二晶圆的边缘部分形成台阶；填充该台阶形成支撑层；以及对第二晶圆的第一表面进行化学机械抛光获得平整表面，其中，所述第二晶圆的第一表面远离所述第一晶圆。该集成电路组件通过修整去除第二晶圆的边缘部分，并且采用支撑层提供保护以免化学机械抛光工艺期间发生更严重的边缘厚度小于中心厚度的问题，从而可以获得平

CN114496727A

CN114496727A权利要求书1/2页

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1.一种集成电路组件的制作方法，其特征在于，包括：

将多个晶圆进行键合，所述多个晶圆至少包括第一晶圆和第二晶圆；

修整所述第二晶圆的边缘部分形成台阶；

填充所述台阶形成支撑层；以及

对所述第二晶圆的第一表面进行化学机械抛光获得平整表面；

其中，所述第二晶圆的第一表面远离所述第一晶圆。

2.根据权利要求1所述的集成电路组件，其特征在于，所述多个晶圆还包括：

多个第三晶圆，位于第一晶圆和第二晶圆之间，其中，所述台阶从所述第二晶圆延伸至所述第一晶圆中。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，修整所述第二晶圆的边缘部分形成台阶包括：沿着所述多个晶圆的圆周方向研磨所述第二晶圆的边缘部分形成彼此连接的台阶侧面和台阶表面。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，修整所述第二晶圆的边缘部分形成台阶还包括：研磨去除所述多个晶圆的第一晶圆的边缘部分的一部分，使得所述边缘部分的剩余部分表面形成所述台阶表面和台阶侧面的一部分。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其中，所述支撑层由氧化硅或氮化硅组成。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：

对所述支撑层的边缘部分进行蚀刻，以获得与所述第一晶圆的圆周面齐平的侧面。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：

采用所述第二晶圆为停止层进行对所述支撑层化学机械抛光，以获得与所述第二晶圆的第一表面齐平的表面。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第二晶圆的第一表面进行化学机械抛光包括：

采用夹持部接触所述支撑层的侧面，从而夹持所述集成电路组件；以及

采用抛光垫接触所述第二晶圆的第一表面进行化学机械抛光。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二晶圆的边缘部分包括晶圆厚度朝着边缘方向减小的部分。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一晶圆包括存储晶体管阵列，所述第二晶圆包括CMOS电路，所述第二晶圆的第一表面为所述第二晶圆与所述键合面相对的表面。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，采用化学机械抛光对所述第一晶圆的自由表面进行减薄，在所述自由表面上形成布线和/或焊盘。

12.一种集成电路组件，其特征在于，包括：

多个晶圆，所述多个晶圆至少包括第一晶圆和第二晶圆，所述多个晶圆的相邻晶圆的键合面彼此接触以实现键合；

台阶，所述台阶的侧面包括第二晶圆的边缘部分去除之后形成的圆周面和所述第一晶圆的边缘部分被去除一部分后形成的侧表面，所述台阶的底面是所述第一晶圆的边缘部分的一部分去除之后形成的表面；以及

支撑层，所述支撑层填充所述台阶，并且所述支撑层的表面与所述第二晶圆的第一表

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面齐平