CN114551332A 半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114551332A(43)申请公布日2022.05.27

(21)申请号202210167810.0

(22)申请日2022.02.23

G11C5/02(2006.01)

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人李刚郭申张志雄张成陈成

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570

专利代理师赵伟

(51)Int.CI.

HO1L21/762(2006.01)

HO1L27/11524(2017.01)

HO1L27/1157(2017.01)

HO1L29/06(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图15页

(54)发明名称

半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备

(57)摘要

CN114551332A本发明涉及一种半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备，包括：形成基底；在基底上形成沟槽；沿着沟槽的侧壁和底表面进行填充，形成第一填充层，第一填充层填充沟槽内的部分空间；去除第一填充层中远离侧壁和底表面的部分第一填充层，以形成修整填充层；在沟槽中的修整填充层上进行填充，形成第二填充层，从而能够解决大角度沟槽难以被填充材料完全填实的问题，并在将该半导体器件的制作方法应用于形成IC器件中浅沟槽隔离结构时，能够减小浅沟槽隔离结构内部的缝或空隙，以提升浅沟

CN114551332A

形成基底

在基底上形成沟槽

沿着沟槽的侧壁和底表面进行填充，形成第一填充层，第一填充层填充沟槽内的部分空间

去除第一填充层中远离侧壁和底表面的部分第一填充层，以形成修整填充层

在沟槽中的修整填充层上进行填充，形成第二填充层

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CN114551332A权利要求书1/2页

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1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

形成基底；

在所述基底上形成沟槽；

沿着所述沟槽的侧壁和底表面进行填充，形成第一填充层，所述第一填充层填充所述沟槽内的部分空间；

去除所述第一填充层中远离所述侧壁和所述底表面的部分第一填充层，以形成修整填充层；

在所述沟槽中的所述修整填充层上进行填充，形成第二填充层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述沿着所述沟槽的侧壁和底表面进行填充，形成第一填充层的步骤，具体包括：

进行填充材料的第一次沉积，以在所述沟槽的侧壁和底表面上沉积形成第一填充层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述沟槽中的所述修整填充层上进行填充，形成第二填充层的步骤，具体包括：

进行所述填充材料的第二次沉积，以在所述沟槽中的所述修整填充层上沉积形成第二填充层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺完成所述第一次沉积，采用原子层沉积工艺完成所述第二次沉积。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述去除所述第一填充层中远离所述侧壁和所述底表面的部分第一填充层，以形成修整填充层的步骤，具体包括：

沿朝向所述底表面的方向刻蚀所述第一填充层，以去除所述第一填充层中远离所述侧壁和所述底表面的部分第一填充层，而形成修整填充层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述形成基底的步骤，具体包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，其中，所述沟槽贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，并延伸至所述衬底内；

且所述半导体器件的制作方法还包括：在所述沟槽中的所述修整填充层上进行填充，形成第二填充层的步骤之后，去除所述第二绝缘层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在形成所述第二填充层后，得到的填充于所述沟槽中的填充物为浅沟槽隔离结构，所述衬底包括多个阱区，且相邻两个所述阱区通过所述浅沟槽隔离结构分隔开。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述阱区包括依次连接的源极区、沟道区和漏极区，且在所述去除所述第二绝缘层的步骤之后，所述半导体器件的制作方法还包括：

在所述沟道区上形成栅绝缘层；

在所述