第二章-氧化工艺.pptVIP

;二氧化硅是微电子工艺中采用最多的介质薄膜。

二氧化硅薄膜的制备方法有：

热氧化

化学气相淀积

物理法淀积

阳极氧化等

热氧化是最常用的氧化方法，需要消耗硅衬底，是一种本征氧化法。

;本章内容

二氧化硅的性质

二氧化硅的用途

热氧化原理（Deal-Grove模型)

热氧化工艺（方法）和系统

热氧化工艺的质量检测

;1、二氧化硅的性质;在二氧化硅膜中，有的氧原子与两个硅原子键合，称为桥键氧。只与一个硅原子键合的氧原子，称为非桥键氧。

二氧化硅膜主要由任意方向的多面体网络组成，而两者的比例影响着网络结构的强度、密度等性质，桥键氧越多则粘合力越强、网络强度越大、二氧化硅膜越致密。

干氧氧化的二氧化硅膜比湿氧和水汽氧化的二氧化硅膜都致密，就是因为干氧氧化的二氧化硅膜中桥氧键多。;、物理性质

密度：无定型SiO2密度2.15～2.25g/cm2,结晶型SiO2密度2.65g/cm2

折射率：密度大的薄膜具有大的折射率

电阻率：与制备方法以及所含杂质数量等因素有关(SiO2电阻率1010Ω.cm，高温干氧氧化的电阻率达1016Ω.cm）

介电强度：单位厚度的SiO2所承受的最小击穿电压106～107V/cm

介电常数：相对介电常数为3.9

;、化学性质;2、二氧化硅的用途

对杂质扩散的掩蔽作用

对器件的表面保护和钝化作用

用于器件的绝缘隔离层

用作电容器的介质材料

用作MOS器件的绝缘栅材料

用于其它半导体器件;;2.1.1掩蔽层条件

SiO2膜能在杂质扩散时起掩蔽作用，必须满足两个条件：

——杂质在SiO2中的扩散系数必须远小于Si中的扩散系数，DSiO2＜DSi。

——SiO2具有足够厚度，当杂质在Si中扩散达到所需深度时，还没有扩穿SiO2膜;2.1.2杂质在SiO2中的存在形式

按照是否含有杂质，分为本征二氧化硅和非本征二氧化硅；按照杂质在二氧化硅网络中的存在形式，后者又分为网络形成者和网络改变者；

——网络形成者：可以取代二氧化硅网络中硅位置的杂质，其特点是离子半径与Si原子的半径相接近或更小，如P、B、Sb，又称替位式杂质。

——网络改变者：存在于二氧化硅网络间隙中的杂质，又称间隙式杂质。其特点是离子半径较大???多以氧化物形式掺入，如钠、钾、钙等；;氧;SiO2层在防止硅器件被污染方面起到了一个非常重要的作用。原因是SiO2密度非常高、非常硬，因此硅表面的SiO2层可以扮演一个污染阻挡层的角色。

另一方面，SiO2对器件的保护是源于其化学特性。因为在制造过程中，无论工作室多么洁净，总有一些电特性活跃的污染物最终会进入或落在硅片表面，在氧化过程中，污染物在表面形成新的氧化层，使得污染物远离了电子活性的硅表面。也就是说污染物被禁锢在二氧化硅膜中，从而减小了污染物对器件的影响。;SiO2也可用来做硅表面和导电表面之间形成的电容所需的介电质（见图）。二氧化硅的介电常数在10kHZ频率下工作时为3-4，击穿电压高，温度系数小，是制作电容器的良好材料。;2.4用于器件的绝缘隔离层;二氧化硅膜用于MOS场效应管的绝缘栅介质，在一个MOS三极管中，栅极区会长一层薄的二氧化硅（见图）。这时的SiO2的厚度和质量决定着场效应管的多个电参数，所以对绝缘栅的厚度和质量要求非常严格。;2.6场氧化层fieldoxide;2.7器件氧化物的厚度

应用在硅材料器件中的二氧化硅随着作用的不同其厚度差别是很大的，薄的氧化层主要是MOS器件里的栅极，厚的氧化层主要用于场氧化层，下面的表列出了不同厚度范围及其相对应的主要用途。;3热氧化机理

半导体工艺中的二氧化硅大多数是通过热生长氧化法得到的，也就是让硅片（晶园）在高温下，与氧化剂发生反应而生长一层SiO2膜的方法，其化学反应式如Si(s)+O2(g)=SiO2(s)

Si(s)+2H2O(g)=SiO2(s)+2H2(g)

化学反应非常简单，但氧化机理并非如此，因为一旦在硅表面有二氧化硅生成，它将阻挡O2原子或H2O与Si原子直接接触，所以其后的继续氧化是O2原子或H2O通过扩散穿过已生成的二氧化硅层，向Si一侧运动到达界面进行反应而增厚的。那么不同的阶段阶段，氧化层厚度(X)与时间(t)是何种关系呢？;无论是干氧或者湿氧工艺，二氧化硅的生长都要消耗硅，那么硅表面生长的二氧化硅厚度和消耗掉的硅厚度有什么关系呢？;Si;如图所示。厚度为，面积为一平方厘米的二氧化硅体内含有SiO2分子数为CSiO2，而这个数字应该等于消耗掉的硅原子数CSiO，即CSiO2＝CSiO

得

;3.1硅的Deal－G