SnO₂基透明p-n结：制备工艺、光电转换机制及应用前景的深度剖析.docx

SnO?基透明p-n结：制备工艺、光电转换机制及应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，光电器件在众多领域中扮演着至关重要的角色，从日常的电子设备到高端的科研仪器，从能源领域的太阳能电池到信息通信领域的光探测器，光电器件的性能直接影响着这些领域的发展水平。随着人们对光电器件性能要求的不断提高，开发新型、高性能的光电器件成为了科研人员的重要研究目标。

SnO?作为一种重要的宽禁带氧化物半导体材料，具有众多优异的物理性质，如较大的禁带宽度（3.6-4.0eV）、较高的激子束缚能（130meV）、良好的化学稳定性以及在可见光和紫外光区域呈现透明状态等