CN114383746A 一种抗环境干扰的多集成mems触觉传感器及其制作方法 （杭州电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114383746A

(43)申请公布日2022.04.22

(21)申请号202111559758.5

(22)申请日2021.12.20

(71)申请人杭州电子科技大学

B81B7/02(2006.01)

地址310018浙江省杭州市钱塘区白杨街

道2号大街

(72)发明人董林玺武家澍刘超然颜海霞杨伟煌

(74)专利代理机构浙江千克知识产权代理有限公司33246

代理人周雷雷

(51)Int.CI.

GO1K7/16(2006.01)

G01J5/12(2006.01)

GO1N25/20(2006.01)

GO1L1/18(2006.01)

权利要求书3页说明书9页附图10页

(54)发明名称

8d8b一种抗环境干扰的多集成MEMS触觉传感器

8d

8b

(57)摘要

CN114383746A本发明提供一种可抗干扰的多集成MEMS触觉传感器及其制作方法。本发明包括基板，所述基板为硅制成的晶片；温度传感器，位于所述基板上，压力传感器，位于所述基板上；热电红外探测器，位于所述基板上；导热传感器，位于所述基板上，所述导热传感器自下而上包括下部硅衬底、上部硅衬底、电绝缘层、同心铬/铂薄膜层。本发明中同心铬/铂薄膜层采取了同心方形环状结构，其内环与外环之间存在着一定的空间，这种设计既可消除导热传感器中的温度漂移和弯曲/拉伸应变，又可以避免内环对外环产生热干扰。本发明在低成本、小体积的前提下，对接触物体可以实现多维度的测量，可以同时感知接触物体的导热性，接触压力，感测外界温度和热辐射情

CN114383746A

CN114383746A权利要求书1/3页

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1.一种抗环境干扰的多集成MEMS触觉传感器，其特征在于，包括：

基板，所述基板为硅制成的晶片；

温度传感器，位于所述基板上，所述温度传感器自下而上包括电绝缘层、热敏电阻，所述电绝缘层与所述热敏电阻直接接触；

压力传感器，位于所述基板上，所述压力传感器自下而上依次包括电绝缘层、压力腔室以及压敏电阻，所述电绝缘层与所述压力腔室直接接触且延伸至所述压力腔室上表面，所述压敏电阻位于所述压力腔室上表面，并与延伸出的所述电绝缘层直接接触；

热电红外探测器，位于所述基板上，所述热电红外探测器自下而上包括电绝缘层、凹腔、中心凸台、氮化硅吸收层和热电偶，所述凹腔位于所述基板上，所述中心凸台位于所述凹腔的中心，所述氮化硅吸收层位于所述基板上并水平延伸至所述中心凸台上表面，所述氮化硅吸收层悬置在所述凹腔的正上方，所述热电偶位于所述氮化硅吸收层上表面，所述电绝缘层与所述氮化硅吸收层直接接触；

导热传感器，位于所述基板上，所述导热传感器自下而上包括下部硅衬底、上部硅衬底、电绝缘层、同心铬/铂薄膜层，所述下部硅衬底位于所述基板上，所述上部硅衬底由底层至顶层包括底部硅层、多孔材料层、PDMS层、顶部硅层，所述底部硅层位于所述基板上，所述多孔材料层位于所述底部硅层上，所述PDMS层位于所述多孔材料层上，所述顶部硅层位于所述PDMS层上，所述同心铬/铂薄膜层分别位于所述底部硅层和所述顶部硅层上，所述电绝缘层位于下部硅衬底上并水平延伸至上部硅衬底上，所述电绝缘层悬置在所述基板的正上方，所述电绝缘层与同心铬/铂薄膜层直接接触。

2.根据权利要求1所述的抗环境干扰的多集成MEMS触觉传感器，其特征在于：所述温度传感器中所述的电绝缘层数量为2个，分别位于所述热敏电阻的下方并与所述热敏电阻直接接触，所述电绝缘层与所述热敏电阻均位于所述基板上。

3.根据权利要求1所述的抗环境干扰的多集成MEMS触觉传感器，其特征在于：所述压力传感器中所述的压力腔室整体为长方体结构，所述的压力腔室内部为真空，所述的压敏电阻数量为4个，均位于所述压力腔室外部上表面且互相间隔一定距离，所述电绝缘层数量亦为4个且互不接触，均位于所述基板上，延伸至所述压力腔室上表面，所述电绝缘层与所述压力腔室、所述压敏电阻直接接触。

4.根据权利要求1所述的抗环境干扰的多集成MEMS触觉传感器，其特征在于：所述热电红外探测器中所述的凹腔位于所述基板上，由蚀刻而成，所述中心凸台位于所述凹腔的中心，所述中心凸台的高度与所述凹腔的深度相等，所述氮化硅吸