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碳化硅材质耐高温高精度压力传感器芯片方案

方案目标与定位

（一）核心目标

本方案聚焦碳化硅（SiC）材质在压力传感器芯片中的应用，以实现“耐高温、高精度”为核心，研发多场景通用型芯片方案。依托碳化硅耐高温特性，优化芯片结构与制造工艺，使芯片可稳定工作于-55℃至600℃极端温度环境，压力测量精度控制在±0.05%FS以内；提升芯片抗磨损、抗腐蚀性能，使用寿命延长至10年以上，兼顾量产可行性与成本控制，实现批量生产单位成本较同类耐高温产品降低18%，形成兼具技术优势与市场竞争力的落地方案。

（二）定位方向

1.技术定位：立足碳化硅材质特性，突破传统传感器芯片高温环境下精度衰减、寿命较短的瓶颈，构建“材质-结构-工艺-性能”协同优化技术体系，填补中高端耐高温压力传感器芯片技术空白，树立行业技术标杆。

2.市场定位：面向航空航天、石油化工、冶金工业、新能源（光伏/核电）四大核心领域，提供0-1MPa至0-200MPa量程适配方案，满足高温工况对高精度、高可靠性的需求，同时覆盖中端工业控制场景，实现全工况覆盖。

3.落地定位：以“易转化、可量产”为导向，方案适配现有半导体生产设备，避免依赖特殊工艺与定制化设备，确保技术落地无需大规模生产线改造，助力企业快速完成技术转化与批量供货。

方案内容体系

（一）碳化硅材质应用优化模块

1.材质选型与处理：选用4H-SiC单晶材料作为敏感芯体基底，其耐高温、高硬度、低膨胀系数特性可适配极端高温工况；采用化学机械抛光（CMP）技术处理基底表面，控制表面粗糙度≤0.5nm，提升应变感知灵敏度与工艺兼容性。

2.掺杂与电极制备：通过离子注入掺杂工艺，在碳化硅基底形成P型应变电阻区，优化掺杂浓度与深度，提升电阻温度稳定性；采用钛钨（TiW）/金（Au）复合电极结构，增强电极与碳化硅基底的附着力，避免高温环境下电极脱落，降低接触电阻。

3.高温稳定性优化：通过高温退火处理（1000-1200℃）消除材质内应力，减少温度循环过程中的性能漂移；搭配高温抗氧化涂层，进一步提升芯片在高温氧化环境下的使用寿命，确保600℃下长期工作性能衰减≤5%。

（二）芯片结构与性能优化模块

1.敏感结构设计：采用碳化硅压阻式敏感芯体结构，优化应变片桥式布局，将应变片与复合电极一体化集成，缩短信号传输路径，提升高温下信号稳定性；通过有限元仿真优化芯体厚度（50-100μm）与沟槽结构，确保全量程内精度均匀稳定。

2.封装结构优化：采用陶瓷-金属密封封装，搭配高温密封胶与镀金引脚，封装耐高温等级同步提升至600℃，增强密封性与抗电磁干扰能力；设计一体化散热结构，降低高温工况下的温度梯度，将温度误差控制在±0.02%FS/℃以内。

3.工况适配调整：针对不同高温场景，优化芯体参数与封装结构，适配高温高压、高温腐蚀、高温振动等特殊工况；提供量程定制化服务，通过调整应变片尺寸与掺杂参数，满足不同领域的压力测量需求。

（三）核心技术支撑模块

1.高温仿真技术：运用ANSYS、Silvaco仿真工具，模拟碳化硅芯片在高温工况下的受力形变、信号传输特性与温度分布，预判性能瓶颈，优化结构与工艺参数，减少实物试错成本。

2.精密检测技术：整合高温环境试验箱、激光干涉仪、精密阻抗分析仪，建立碳化硅芯片高温性能、力学特性、电参数的全流程检测体系，实现从材质处理到成品封装的全环节质量管控。

3.工艺集成技术：构建“碳化硅基底处理-芯体制造-高温封装-性能测试”一体化技术，打通各环节技术壁垒，实现工艺参数协同调控，保障芯片在高温工况下的整体性能达标。

实施方式与方法

（一）分阶段实施策略

1.研发验证阶段：组建跨学科团队（材料学、微电子、高温工艺），开展碳化硅材质处理、芯片结构仿真与样品制作，完成4-6轮样品迭代，验证方案可行性，确定最优参数与技术规范。

2.中试转化阶段：依托现有半导体生产线开展小批量中试，生产1500-2500件样品，优化工艺衔接与设备适配，完成高温工况可靠性测试，同步完善标准化生产操作手册。

3.批量推广阶段：根据中试结果优化生产线，实现规模化量产；联合下游企业开展场景适配测试，完成方案落地推广，提供高温工况技术支持与售后服务。

（二）关键实施方法

1.控制变量试验法：固定其他参数，逐一调整碳化硅掺杂浓度、退火温度、电极结构等关键指标，测试不同组合下芯片高温性能与精度，筛选最优参数组合。

2.仿真-试验闭环法：先通过仿真工具构建高温工况模型，预判性能问题，再通过实物高温试验验证仿真结果，形成“仿真优化-实物测试-迭代调整”的闭环流程。

3.产学研协同法：联合高校、科研机构攻关碳化硅高温掺杂与封装技术难点，