CN114391851A 一种基于系统级集成工艺的全植入脑机接口及制作方法 （杭州电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114391851A

(43)申请公布日2022.04.26

(21)申请号202111564401.6

(22)申请日2021.12.20

(71)申请人杭州电子科技大学

地址310018浙江省杭州市下沙高教园区

(72)发明人洪慧王浩传

(74)专利代理机构杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)33283

代理人董世博

(51)Int.CI.

H01L21/56(2006.01)

A61B5/293(2021.01)

A61N1/05(2006.01)

HO1L23/64(2006.01)

HO1L23/29(2006.01)

HO1L23/31(2006.01)

HO1L21/50(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种基于系统级集成工艺的全植入脑机接口及制作方法

(57)摘要

CN114391851A本发明公开了一种基于系统级集成工艺的全植入脑机接口及制作方法，现有SoC方案全植入脑机接口系统通常具有低的无线通信速率，低神经信号采样率以及低刺激电流；严重制约了全植入脑机接口系统在神经科学、生物医疗等方面的应用；本发明采用系统级集成工艺，将专用脑机接口ASIC芯片与无线供电和无线通信芯片以及SMD器件进行微型化异构集成，实现了功能完备的全植入脑机接口系统结构，通过将体内植入部分无线供电接收线圈采用厚金属层沉积，实现了相比SoC集成方案品质因数更高的集成电感，作为无线供电的接收线圈，提高了植入式设备的无线供电接收效率；最终实现了微型化高性能的

CN114391851A

建衬底(1)

改性电极(7、8)聚酸亚胺(4)厚金属层(6)

改性电极(7、8)

聚酸亚胺(4)

厚金属层(6)

布线层(5)

CN114391851A权利要求书1/2页

2

1.一种基于系统级集成工艺的全植入脑机接口，其特征在于，包括体外基站部分以及体内植入部分；其中体外基站部分与体内植入部分连接；

所述体外基站部分包括无线供电系统U1、无线供电发射线圈Lx、谐振匹配电容CTx、无线通信系统U2、板载天线L1;无线供电发射线圈LTx以及谐振匹配电容CT串联后与无线供电系统U1连接；无线通信系统U2与板载天线L1连接，板载天线L1采用高增益天线；

所述体内植入部分包括无线供电与通信芯片U3、无线能量接收线圈Lx、匹配电容Cx、微型陶瓷天线L2、专用脑机接口芯片U4、电极阵列U5;无线能量接收线圈LRx与匹配电容C串联后与无线供电与通信芯片U3连接；无线供电与通信芯片U3还分别与微型陶瓷天线L2以及专用脑机接口芯片U4相连接；专用脑机接口芯片U4还与电极阵列U5连接，电极阵列U5用于连接生物体神经组织；

微型陶瓷天线L2与板载天线L1无线通信连接；无线能量接收线圈LRx、匹配电容CRx与无线供电发射线圈LTx、谐振匹配电容Cx相匹配。

2.根据权利要求1所述的一种基于系统级集成工艺的全植入脑机接口，其特征在于，所述体内植入部分的无线供电与通信芯片U3以及专用脑机接口芯片U4镶嵌设置于硅衬底上，其中芯片设置有引脚的一面靠近硅衬底的上表面；硅衬底的上表面还设置有介质层和布线层交替形成的多层重布线，多层布线层上设置有厚金属层，厚金属层与多层布线层之间也设置有介质层；厚金属层上设置有无线能量接收线圈LRx、匹配电容C、微型陶瓷天线L2;硅衬底、多层重布线以及厚金属层均被密封层包覆，位于密封层内部，密封层上设置有电极阵列U5,电极阵列U5穿过密封层与厚金属层连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于系统级集成工艺的全植入脑机接口，其特征在于，所述介质层为聚酰亚胺层，布线层为铜线。

4.根据权利要求2所述的一种基于系统级集成工艺的全植入脑机接口，其特征在于，所述密封层由内到外包括Si02层、A1203层以及聚对二甲苯层。

5.根据权利要求1所述的一种基于系统级集成工艺的全植入脑机接口，其特征在于，所述无线通信系统U2工作在2.4GHz,无线通信系统U2包含功率放大器与低噪声放大器。

6.根据权利要求1所述的一种基于系统级集成工艺的全植入脑机接口，其特征在于，所述无线供电发射线圈LTX以及谐振匹配电容CTX的谐振频率为13MHz;无线能量接收线圈LRX与匹配电容