CN114582977A 折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114582977A(43)申请公布日2022.06.03

(21)申请号202210199708.9

(22)申请日2022.03.02

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人段宝兴李明哲杨银堂

(74)专利代理机构西安智邦专利商标代理有限公司61211

专利代理师唐沛

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN114582977A本发明公开了一种折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管及制作方法。该结构在LDMOS器件的折叠漂移区表面淀积应力介质层，应力介质层表面覆盖延伸栅电极。应力介质层通过从三个面两个维度向漂移区施加沿X方向的积极应力，该积极应力在漂移区内叠加从而诱导漂移区内载流子迁移率提高；此外，器件在关断状态时，应力介质层结合延伸栅电极从三个面两个维度辅助耗尽漂移区，漂移区最优掺杂浓度提高；在开启状态时，延伸栅电极、应力介质层与半导体衬底组成的MIS结构在漂移区表面形成载流子积累层，载流子积累层能够作为低阻电流通路减小器件的比导通电阻，折叠结构提高了沟道密

CN114582977A

CN114582977A权利要求书1/2页

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1.一种折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管，其特征在于：

包括半导体材料的衬底(1);衬底(1)上半部分通过沟槽刻蚀工艺形成折叠状结构；

衬底(1)下半部分的左右两侧分别形成有基区(2)和漂移区(3);

基区(2)表面形成有源区(4);

从漂移区(3)表面向上延伸至折叠状结构的部分形成有漏区(5);

源区(4)的左侧形成有基区衬底接触(6);

在折叠状结构处且对应于漂移区的部分形成有缓冲层(7)和应力介质层(8),且缓冲层(7)和应力介质层(8)均成“几”字形，缓冲层(7)位于应力介质层(8)与漂移区(3)之间，应力介质层(8)的长度与漂移区(3)长度相当，应力介质层(8)右边界位于漂移区(3)中漏区(5)一侧，应力介质层(8)左边界靠近漂移区(3)和基区(2)分界线的右侧；

在折叠状结构处且对应于基区(2)的部分形成有栅绝缘层(9);

在栅绝缘层(9)与应力介质层(8)表面形成有延伸栅电极(10);延伸栅电极(10)呈倒“U”字形，延伸栅电极(10)长度根据耐压需求进行调整；

在折叠状结构处且对应于源区(4)与基区衬底接触(6)的部分形成有源电极(11);

漏区(5)表面形成有漏电极(12);源电极(11)和漏电极(12)均呈倒“U”字形。

2.根据权利要求1所述的折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管，其特征在于：折叠状结构中凸起的高度与凸起的宽度比值范围为1～4。

3.根据权利要求2所述的折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管，其特征在于：折叠状结构中凸起的宽度与衬底宽度之比范围是1/4～1/2。

4.根据权利要求3所述的折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管，其特征在于：应力介质层(8)沿宽度方向的单侧厚度与所述凸起的宽度之比范围是1/2～1。

5.根据权利要求4所述的折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管，其特征在于：位于凸起顶部的应力介质层(8)厚度与飘移区长度之比范围是1/20～1/5。

6.根据权利要求5所述的折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管，其特征在于：应力介质层(8)厚度与缓冲层(7)厚度之比为10～100。

7.根据权利要求1所述的折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管，其特征在于：应力介质层(8)本征应力大小的典型值为2Gpa～4Gpa。

8.一种制作权利要求1所述折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管的方法，包括以下步骤：

步骤1:取半导体材料作为衬底(1);

步骤2:在衬底(1)上通过离子注入或热扩散工艺形成基区(2)和漂移区(3);

步骤3:在基区(2)和漂移区(3)通过离子注入分别形成源区(4)与漏区(5);

步骤4:在基区(2)中源区(4)外侧通过离子注入形成基区衬底接触(6);

步骤5:在衬底(1)表面通过等离子刻蚀形成折叠状结构；

步骤6:在衬底(1)表面生长缓冲层(7)