CN114373676A 一种平面型vdmos器件双栅极结构的制作方法 （捷捷微电(上海)科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114373676A

(43)申请公布日2022.04.19

(21)申请号202210051895.6

(22)申请日2022.01.17

HO1L21/336(2006.01)

(71)申请人捷捷微电(上海)科技有限公司

地址201306上海市浦东新区中国(上海)

自由贸易试验区临港新片区南汇新城

镇海洋一路333号1号楼、2号楼

申请人江苏捷捷微电子股份有限公司

(72)发明人顾昀浦孙闫涛张楠宋跃桦吴平丽

(74)专利代理机构广州京诺知识产权代理有限公司44407

代理人于睿虬

(51)Int.CI.

H01L21/28(2006.01)

HO1L21/331(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图9页

(54)发明名称

一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法

(57)摘要

CN114373676A本发明公开了一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法，在外延层表面形成ONO结构；在第二氧化层上方设置第一掩膜，第一掩膜的设置位置与双栅极的位置相匹配；在第一掩膜下方留有的第二氧化层为双栅极间隔氧化层；在第二氧化层和双栅极间隔氧化层上方淀积多晶硅；回刻多晶硅，使双栅极间隔氧化层的表面外露，在双栅极间隔氧化层的两侧留有多晶硅侧墙，多晶硅侧墙为平面型VDMOS器件的双栅极结构。本发明的双栅极间隔氧化层在双栅极结构形成之前，先填充了双栅极之间的间隔区域，能够精确控制双

CN114373676A

CN114373676A权利要求书1/1页

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1.一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在平面型VDMOS器件的外延层表面形成第一氧化层、氮化物层、第二氧化层的ONO结构；

在所述第二氧化层上方设置第一掩膜，所述第一掩膜的设置位置与双栅极的位置相匹配；

刻蚀所述第二氧化层和氮化物层，在所述第一掩膜下方留有的第二氧化层为双栅极间隔氧化层；

去除所述第一掩膜；

在所述第二氧化层和双栅极间隔氧化层上方淀积多晶硅；

回刻所述多晶硅，使所述双栅极间隔氧化层的表面外露，在所述双栅极间隔氧化层的两侧留有多晶硅侧墙，所述多晶硅侧墙为平面型VDMOS器件的双栅极结构。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为800-1200A,所述氮化物层的厚度为200-500A、所述第二氧化层的厚度为5000-10000A。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用高选择比的湿法腐蚀方式，刻蚀所述第二氧化层和氮化物层，在所述第一掩膜下方留有的第二氧化层为双栅极间隔氧化层。

4.一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在平面型VDMOS器件的外延层表面形成第三氧化层；

在所述第三氧化层上方设置第二掩膜，所述第二掩膜的设置位置与双栅极的位置相匹配；

刻蚀所述第三氧化层，在所述第二掩膜下方留有的第三氧化层为双栅极间隔氧化层，且在所述外延层表面留有一层第四氧化层；

去除所述第二掩膜；

在所述第四氧化层和双栅极间隔氧化层上方淀积多晶硅；

回刻所述多晶硅，使所述双栅极间隔氧化层的表面外露，在所述双栅极间隔氧化层的两侧留有多晶硅侧墙，所述多晶硅侧墙为平面型VDMOS器件的双栅极结构。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第三氧化层的厚度为5000-10000A,所述第四氧化层的厚度为800-1200A。

6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，采用高选择比的湿法腐蚀方式，刻蚀所述第三氧化层，在所述第二掩膜下方留有的第三氧化层为双栅极间隔氧化层，且在所述外延层表面留有一层第四氧化层。

7.根据权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，所述外延层内部已经设置有平面型VDMOS器件的内部结构。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述内部结构包括IGBT器件结构、SJMOS器件结构。

9.根据权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，还包括在所述外延层内部设置平面型VDMOS器件的内部结构。

10.根据根据权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，在形成所述双栅极结构后，还包括：

在所述外延层表面注入并形成体区。

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