CN114371497A 一种辐射成像探测器及其制作方法 （深圳市安健科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114371497A

(43)申请公布日2022.04.19

(21)申请号202011101698.8

(22)申请日2020.10.15

(71)申请人深圳市安健科技股份有限公司

地址518000广东省深圳市南山区朗山路

华瀚创新园办公楼A座408室

(72)发明人王宗朋陈明王静珂叶超刘德健

(74)专利代理机构深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)44312

代理人任哲夫

(51)Int.CI.

G01T1/29(2006.01)

G01T1/20(2006.01)

HO1L27/146(2006.01)

F16B11/00(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图3页

(54)发明名称

一种辐射成像探测器及其制作方法

(57)摘要

CN114371497A本发明提供一种辐射成像探测器及其制作方法，其中，辐射成像探测器包括传感器、闪烁体、光纤复合结构及附加传感器，光纤复合结构包括多条光纤，传感器、闪烁体、光纤复合结构及附加传感器依次层叠设置，入射射线经闪烁体产生荧光，位于传感器一侧的荧光直接传输至传感器，位于附加传感器一侧的荧光利用波导效应经由光纤复合结构内各光纤的纤芯传输至附加传感器。本发明比传统探测器中单个传感器或镀金属反射膜对荧光的吸收值增加一倍，大幅度提高

CN114371497A

CN114371497A权利要求书1/1页

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1.一种辐射成像探测器，其特征在于，包括：传感器、闪烁体、光纤复合结构及附加传感器，所述光纤复合结构包括多条光纤，所述传感器、闪烁体、光纤复合结构及附加传感器依次层叠设置；

入射射线经所述闪烁体产生荧光，位于所述传感器一侧的荧光直接传输至传感器，位于所述附加传感器一侧的荧光利用波导效应经由光纤复合结构内各光纤的纤芯传输至附加传感器。

2.如权利要求1所述的辐射成像探测器，其特征在于，所述闪烁体、光纤复合结构及附加传感器之间通过耦合剂贴合，所述耦合剂为硅油、硅脂、硅胶中至少一种。

3.如权利要求1所述的辐射成像探测器，其特征在于，所述光纤复合结构内多条光纤集成三维阵列，所述光纤复合结构内任一光纤包括纤芯及包层，所述纤芯的折射率大于包层的折射率；

所述光纤复合结构内任一光纤的纤芯及包层为透明玻璃或柔性塑料中至少一种；

所述光纤复合结构内任一光纤的纤芯的直径为所述传感器的像素间距的1/100至1/10;

所述光纤复合结构内任一光纤的包层的厚度为纤芯直径的1/10至1/5。

4.如权利要求1所述的辐射成像探测器，其特征在于，所述光纤复合结构为光纤面板，所述光纤面板的长、宽、高分别为430mm、430mm、Y,其中，0.5mm≤Y≤2mm。

5.如权利要求1所述的辐射成像探测器，其特征在于，所述传感器及附加传感器为CMOS传感器或光电二极管传感器中至少一种。

6.如权利要求1所述的辐射成像探测器，其特征在于，所述闪烁体包括铕硫氧化钆、铊碘化铯及全无机钙钛矿纳米晶CsPbX?中至少一种，其中，X为C1、Br、I中任一种。

7.如权利要求1所述的辐射成像探测器，其特征在于，所述传感器及附加传感器两侧均电连接有相互独立的数据读取电路板，所述数据读取电路板与入射射线的方向平行设置。

8.一种制作方法，其特征在于，应用于如权利要求1-7任一项所述的辐射成像探测器，包括：

在传感器上生长闪烁体；

利用耦合剂，将光纤复合结构贴合于所述闪烁体；

利用耦合剂，将附加传感器贴合于所述光纤复合结构。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述利用耦合剂，将光纤复合结构贴合于所述闪烁体之前，还包括：

对光纤复合结构进行抛光处理；

通过气体刻蚀、激光刻蚀、机械加工中任一方式对抛光处理后的所述光纤复合结构进行粗化处理；

所述利用耦合剂，将光纤复合结构贴合于所述闪烁体，包括：利用耦合剂，将粗化处理后的所述光纤复合结构贴合于所述闪烁体。

10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述利用耦合剂，将附加传感器贴合于所述光纤复合结构，包括：将附加传感器翻转并逆时针旋转90°后，利用耦合剂，将附加传感器贴合于粗化处理后的所述光纤复合结构。

CN114371497A说明书