CN114373771A 阵列基板、制作方法及显示装置 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114373771A

(43)申请公布日2022.04.19

(21)申请号202111638998.4

(22)申请日2021.12.29

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

(72)发明人杜建华赵梦王超璐吴昊吕杨关峰赵磊

(74)专利代理机构北京风雅颂专利代理有限公司11403

代理人安凯

(51)Int.CI.

HO1L27/12(2006.01)

HO1L21/77(2017.01)

权利要求书2页说明书9页附图3页

(54)发明名称

阵列基板、制作方法及显示装置

(57)摘要

CN114373771A本申请实施例提供一种阵列基板、制作方法及显示装置，阵列基板包括相邻第一区域和第二区域，在第一区域中第一低温多晶硅层、中间膜层和第二低温多晶硅层沿第一方向堆叠设置；在第二区域中第一低温多晶硅层和衬底基板之间设置有支撑柱，第一低温多晶硅层被支撑柱的顶起部分包括第一连接部，第二低温多晶硅层包括位于第二区域与第一连接部连接的第二连接部；第二连接部沿第一方向的延伸距离，小于第一低温多晶硅层和第二低温多晶硅层在第一区域的间距。如此设计，能够缩小过孔的深度甚至省去过孔后直接相连，从而使第二低温多晶硅层在制作过程中，在ELA设备进行激光照射时吸收更多

CN114373771A

CN114373771A权利要求书1/2页

2

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，以及，在所述衬底基板一侧设置的第一低温多晶硅层、中间膜层和第二低温多晶硅层；

所述阵列基板包括相邻第一区域和第二区域，在所述第一区域中，所述第一低温多晶硅层、所述中间膜层和所述第二低温多晶硅层沿与所述衬底基板垂直的第一方向堆叠设置；

在所述第二区域中，所述第一低温多晶硅层和所述衬底基板之间设置有支撑柱，所述支撑柱使所述第一低温多晶硅层沿所述第一方向凸起；所述第一低温多晶硅层被所述支撑柱顶起的部分包括第一连接部，所述第二低温多晶硅层包括位于所述第二区域的第二连接部，所述第二连接部与所述第一连接部连接；

所述第二连接部沿所述第一方向的延伸距离，小于所述第一低温多晶硅层和所述第二低温多晶硅层在所述第一区域中的间距。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述支撑柱包括沿所述第一方向远离所述衬底基板的支撑顶部以及与所述支撑顶部边缘连接的外周壁，所述外周壁环绕所述第一方向延伸，且相对于所述衬底基板倾斜设置。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二区域包括与所述支撑顶部相对的第三区域，所述第三区域在所述衬底基板的正投影与所述支撑顶部在所述衬底基板的正投影重合；

所述第一低温多晶硅层位于所述第三区域的部分为所述第一连接部，所述第二低温多晶硅层位于所述第三区域的部分为所述第二连接部。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述中间膜层在所述第三区域设置有露出口，在所述第一方向上，所述第一连接部与所述露出口平齐或者自所述露出口向远离所述衬底基板的一侧伸出；所述第二连接部与所述第一连接部接触连接。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述中间膜层在所述第三区域设置有具有深度的连接过孔，所述第一连接部位于所述连接过孔的底部，所述第二连接部通过所述连接过孔与所述第一连接部连接。

6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二低温多晶硅层包括所述第二连接部、第三连接部和中间连接部，所述第三连接部位于所述第一区域，所述中间连接部连接所述第二连接部与所述第三连接部；

所述中间连接部包括至少两个子连接部，在所述第三连接部向所述第二连接部延伸的过程中，所述子连接部相对于所述衬底基板的倾斜角度逐渐变小。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述支撑柱采用无机绝缘材料通过图案化处理形成，所述无机绝缘材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在对应第一截面的截面图形中，所述外周壁相对于第二方向的夹角为20至50度，所述支撑顶部沿所述第二方向的距离大于1um;

其中，所述第一截面平行于所述第一方向，所述第二方向垂直于所述第一方向。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在