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国产InGaAs焦平面探测器短波红外成像技术的多维探索与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，短波红外成像技术作为光电领域的关键技术，正以前所未有的速度融入众多领域，发挥着举足轻重的作用。其成像原理基于物体对短波红外波段（通常为1-3μm）的辐射特性差异，通过探测器将这种差异转化为电信号，进而生成图像。这一波段的独特性质使其具备诸多优势，如能穿透云雾、烟尘等介质，实现全天候成像；对某些材料具有特殊的穿透和反射特性，可用于无损检测和物质识别；在低光照条件下也能获取清晰图像，弥补了可见光成像的不足。

在军事国防领域，短波红外成像技术是现代战争中的“火眼金睛”。它可用于夜间目标侦察，让隐藏在黑暗中的敌人无所遁形；在导弹制导中，能够更精准地锁定目标，提高打击的命中率；还可用于战场态势感知，为作战指挥提供全面、准确的情报支持。在民用领域，其应用同样广泛。在安防监控方面，可实现对重要设施和区域的24小时监控，有效预防和应对安全威胁；在工业检测中，能检测产品内部缺陷，保障产品质量；在生物医学成像中，有助于早期疾病诊断，为患者的治疗争取宝贵时间。

InGaAs焦平面探测器作为短波红外成像的核心部件，基于III-V族InP/InGaAs材料体系，具有高灵敏度、高均匀性和高稳定性等显著优势。其能在室温或近室温下工作，无需复杂的制冷系统，大大降低了设备成本和体积，使得短波红外成像系统更加便携、实用。标准响应波段为0.9-1.7μm的InGaAs焦平面探测器，不仅可拓展至可见光波0.4μm，实现更宽光谱范围的探测，还能延伸至2.5μm，满足不同应用场景对波长的需求。

然而，长期以来，高性能的InGaAs焦平面探测器技术被国外少数发达国家垄断，我国在这一领域面临着技术封锁和产品禁运的困境。这严重制约了我国相关产业的发展，尤其是在军事、航天等关键领域，对国外产品的依赖存在巨大的安全隐患。因此，开展国产InGaAs焦平面探测器的研究具有紧迫性和重大战略意义。它不仅能打破国外技术垄断，实现关键技术的自主可控，还能推动我国短波红外成像技术的发展，促进相关产业的升级，提升我国在国际上的科技竞争力。同时，国产InGaAs焦平面探测器的研发成功，将降低产品成本，使更多领域能够应用短波红外成像技术，创造巨大的经济效益和社会效益。

1.2国内外研究现状

国外对InGaAs焦平面探测器及短波红外成像技术的研究起步较早，在多个方面取得了丰硕成果。美国在该领域处于世界领先地位，其科研机构和企业在材料生长、器件制备和成像算法等方面进行了深入研究。例如，美国UTC航天系统部/Goodrich/传感无限公司自2009年起，先后报道了多种规格的InGaAs焦平面，像640×512元25μm、1280×1024元15μm、1920×1080元15μm和4096×4096元5μm中心距的产品。这些常规器件波长范围在1-1.7μm，部分器件通过衬底移除技术，实现了0.4-1.7μm可见-近红外宽光谱响应，暗电流小于0.26nA/cm2@0℃，读出噪声小于50e?，为短波红外成像提供了高质量的探测器。2018年，美国Teledyne报道了6000×8元13μm中心距的0.9-1.7μm超长线列InGaAs焦平面，单条焦平面芯片尺寸达79.3mm×6.8mm，在22oC和-20mV下像素暗电流密度小于2nA/cm2，读出噪声小于600e?，其先进的结构设计和低噪声特性，在航天对地高分辨近红外成像等领域具有重要应用。同年，美国PrincetonInfrared公司报道了光谱响应范围覆盖0.8-2.05μm的1280×1024元延伸波长InGaAs焦平面，中心距12μm，量子效率高于70%，进一步拓展了InGaAs焦平面探测器的应用范围。

除美国外，其他国家也在积极开展相关研究。以色列SCD公司自2009年起，先后报道实现了640×512元15μm中心距和1280x1024元10μm中心距的0.9-1.7μm百万像素InGaAs焦平面，高增益模式下读出噪声小于35e?，应用于安防和军事领域。日本索尼公司于2020年推出了基于III-V与IV族晶圆键合和衬底转移技术方案的5μm中心距1280×1024元InGaAs焦平面，光谱响应范围0.4-1.7μm，在0.4μm处的量子效率达到90%，展示了其在探测器制备技术上的创新。

在国内，虽然