CN114256207A 晶圆表面标记制作方法及扫描电镜内晶圆的定位方法 （浙江大学杭州国际科创中心）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114256207A

(43)申请公布日2022.03.29

(21)申请号202111519871.0

(22)申请日2021.12.13

(71)申请人浙江大学杭州国际科创中心

地址311200浙江省杭州市萧山区建设三

路733号

(72)发明人盛况任娜熊丹妮王珩宇

(74)专利代理机构杭州裕阳联合专利代理有限公司33289

代理人高明翠

(51)Int.CI.

HO1L23/544(2006.01)

H01L21/68(2006.01)

GO3F7/20(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

晶圆表面标记制作方法及扫描电镜内晶圆的定位方法

(57)摘要

CN114256207A晶圆表面标记制作方法及扫描电镜内晶圆的定位方法，属于半导体技术领域，晶圆表面标记制作方法，包括涂胶工艺、曝光工艺和显影工艺，所述涂胶工艺为在晶圆表面涂布膜层，所述曝光工艺为通过光刻机对晶圆进行曝光，所述显影工艺为将晶圆浸入显影液中。扫描电镜内晶圆的定位方法，包括晶圆表面标记制作方法和扫描电镜内部定位方法。本发明在晶圆表面通过光刻机挡板制作标记，适用于4寸至8寸大尺寸晶圆在扫描电镜内部测量时快速定位，克服了仅使用掩

CN114256207A

CN114256207A权利要求书1/1页

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1.晶圆表面标记制作方法，其特征在于，包括涂胶工艺、曝光工艺和显影工艺，所述涂胶工艺为在晶圆表面涂布膜层，所述曝光工艺为通过光刻机对晶圆进行曝光，所述显影工艺为将晶圆浸入显影液中。

2.根据权利要求1所述的晶圆表面标记制作方法，其特征在于，所述曝光工艺包括以下步骤：设置光刻机挡板坐标，形成漏光的方形区域；输入曝光计量；将待曝光晶圆送入光刻机中；光刻机紫外光源产生的光线穿过所述漏光的方形区域，投影到表面涂布有膜层的晶圆表面，并与所述涂布有膜层的晶圆发生感光反应。

3.根据权利要求2所述的晶圆表面标记制作方法，其特征在于，所述光刻机为步进式光刻机，具有局部曝光功能和挡板控制系统。

4.根据权利要求3所述的晶圆表面标记制作方法，其特征在于，所述挡板的控制精度在400-800μm。

5.根据权利要求3所述的晶圆表面标记制作方法，其特征在于，所述挡板坐标包括X-、X+、Y-和Y+四个坐标值。

6.根据权利要求5所述的晶圆表面标记制作方法，其特征在于，所述漏光的方形区域的面积为X和Y方向各大于1mm。

7.根据权利要求6所述的晶圆表面标记制作方法，其特征在于，所述漏光的方形区域位于晶圆边缘处。

8.根据权利要求7所述的晶圆表面标记制作方法，其特征在于，所述标记至少为三个。

9.扫描电镜内晶圆的定位方法，其特征在于，包括权利要求1至8所述的晶圆表面标记制作方法和扫描电镜内部定位方法。

10.根据权利要求9所述的扫描电镜内晶圆的定位方法，其特征在于，所述扫描电镜内部定位方法包括如下步骤：晶圆进入扫描电镜腔体内部；扫描电镜的光学摄像头通过拍照记录晶圆表面的标记图形和整个晶圆表面图形；扫描电镜通过所述晶圆表面标记制作方法制得的标记的位置，在晶圆表面确定一个平面坐标系。

CN114256207A说明书1/3页

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晶圆表面标记制作方法及扫描电镜内晶圆的定位方法

技术领域

[0001]本发明属于半导体领域，尤其涉及晶圆表面标记制作方法及扫描电镜内晶圆的定位方法。

背景技术

[0002]在半导体制造过程中，晶圆表面的图形通过光刻和刻蚀工艺完成后，需要将晶圆送入扫描电镜内部，以观察微观图形的尺寸和形貌是否达到要求，从而验证制作表面图形的机台和工艺是否有异常。目前大型半导体晶圆制造厂都使用具体光镜和电镜兼容功能的快速扫描电镜进行晶圆表面的微观测量。但是这种设备价格高昂且局限于固定特征尺寸的晶圆，对于小型生成线或者科研单位在实际应用中要兼顾非特征尺寸和断面观察，往往会采购只具有电镜功能的普通扫描电镜。

[0003]普通扫描电镜可通过更换不同的托盘来实现观察各种形状和尺寸的半导体材料。观察标准尺寸的圆形半导体材料基底，晶圆进入扫描电镜内部后，能支持在电