CN114300473A 半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114300473A

(43)申请公布日2022.04.08

(21)申请号202111651256.5

(22)申请日2021.12.30

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人张浩郑安发

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570

代理人唐秀萍

(51)Int.CI.

HO1L27/1157(2017.01)

HO1L27/11582(2017.01)

权利要求书3页说明书11页附图6页

(54)发明名称

半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统

(57)摘要

CN114300473A本发明实施例提供了一种半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统，半导体器件的制作方法，包括：于衬底上形成半导体结构；在半导体结构中沿第一方向形成第一开口，第一开口穿过部分的半导体结构；在第一开口内填入填充块；在填充块中形成第二开口，第二开口沿第一方向贯穿填充块，且被填充块的剩余部分所形成的填充衬壁所环绕；依据第二开口，在半导体结构中形成包括第二开口的第三开口，第三开口沿第一方向向衬底延伸。通过在第二开口的侧壁形成有填充衬壁，填充衬壁对侧壁起保护作用，从

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于村底上形成半导体结构

于村底上形成半导体结构

在半导体结构中沿第一方向形成第一开口，第一开口穿过部分的半导体结构

在第一开口内填入填充块

在填充块中形成第二开口，第二开口沿第一方向贯穿填充块，且被填充块的剩余部分所形成的填充村壁所环绕

依据第二开口，在半导体结构中形成包括第二开口的第三开口，第三开口沿第一方向向衬底延伸

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S103

S104

S105

CN114300473A权利要求书1/3页

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1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法，包括：

于衬底上形成半导体结构；

在所述半导体结构中沿第一方向形成第一开口，所述第一开口穿过部分的所述半导体结构；

在所述第一开口内填入填充块；

在所述填充块中形成第二开口，所述第二开口沿所述第一方向贯穿所述填充块，且被所述填充块的剩余部分所形成的填充衬壁所环绕；

依据所述第二开口，在所述半导体结构中形成包括所述第二开口的第三开口，所述第三开口沿所述第一方向向所述衬底延伸。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一方向为垂直于所述衬底的方向。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述形成半导体结构的步骤包括：形成设置于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的牺牲层和绝缘层。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第三开口沿所述第一方向贯穿所述半导体结构并延伸至所述衬底中。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第三开口沿所述第一方向延伸，并设置在所述半导体结构中。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法，还包括：

在所述半导体结构上形成第一硬掩膜层；

在所述第一硬掩膜层上形成具有与所述第一开口的位置相对应的第一硬掩膜层开口，所述第一开口在第二方向的宽度大于所述第一硬掩膜层开口在所述第二方向的宽度，所述第二方向为平行于所述衬底的方向；

其中，所述第二开口是依据所述第一硬掩膜层开口而形成于所述填充块中。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体结构对所述填充块的刻蚀选择比大于1。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第一开口内填入填充块之后，还包括：

对所述半导体结构在所述第一方向上的表面进行化学机械研磨。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述依据所述第二开口，形成包括所述第二开口的第三开口之后，还包括：

去除所述填充衬壁。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述半导体结构中形成至少一个第一开口，具体包括：

在所述半导体结构的所述第一方向上形成第二硬掩膜层，所述第二硬掩膜层上具有至少一个第二硬掩膜层开口；

依据所述第二硬掩膜层开口，形成第一开口，所述第一开口穿过部分的所述半导体结构。

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