钇铟共掺杂对氧化锌薄膜结构与性能的影响机制探究.docx

钇铟共掺杂对氧化锌薄膜结构与性能的影响机制探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今光电领域的迅猛发展态势下，对高性能光电材料的探索与研究始终是科研工作者们关注的焦点。氧化锌（ZnO）薄膜作为一种极具潜力的半导体材料，凭借其自身独特的物理性质，在众多领域展现出了广阔的应用前景，成为了该领域研究的热点之一。

氧化锌薄膜具有诸多优异特性，其禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，这使得它在室温下能实现高效的激子复合发光，为短波长光电器件的研发提供了可能，如紫外发光二极管、激光二极管等。凭借其良好的压电性能，氧化锌薄膜可用于制作压力传感器、声学传感器以及表面声波器件等，在传感