CN114300466A 半导体器件及其制作方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114300466A

(43)申请公布日2022.04.08

(21)申请号202111643469.3

(22)申请日2021.12.29

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人乔思毛晓明彭盛张丽媛高晶

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570

代理人孟霞

(51)Int.CI.

HO1L27/11524(2017.01)

HO1L27/11556(2017.01)

HO1L27/1157(2017.01)

HO1L27/11582(2017.01)

权利要求书1页说明书7页附图8页

(54)发明名称

CN114300466

CN114300466A

(57)摘要

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制作方法；该半导体器件的制作方法包括：提供一包括多个沟道开孔的堆叠层；在该沟道开孔内及该堆叠层上形成存储功能层及沟道层；在第一温度条件下，在该沟道层上形成保护层；该第一温度为450℃至500℃;本发明通过在沟道层上450℃至500℃的温度下，制作形成保护层，较低的形成温度可以减少沟道层的界面氧化或缺陷，在后续制作时，保护层也可以对沟道层起到一定的保护作用，保护了半导体器件，提高了半导体器件的寿命及性能。

提供一包括多个沟道开孔的堆叠层

在沟道开孔及堆叠层上形成存储功能层及沟道层

在第一温度条件下，在沟道层上形成保护层

S100

S200

S300

CN114300466A权利要求书1/1页

2

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一包括多个沟道开孔的堆叠层；

在所述沟道开孔内及所述堆叠层上形成存储功能层及沟道层；

在第一温度条件下，在所述沟道层上形成保护层；

其中，所述第一温度为450℃至500℃。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法还包括：

利用原子层沉积工艺，在所述保护层上形成功能调节层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述利用原子层沉积工艺，在所述保护层上形成功能调节层的步骤包括：

利用原子层沉积工艺，在第二温度条件下，在所述保护层上形成功能调节层；

其中，所述第二温度为550℃至700℃。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述功能调节层的厚度大于所述保护层的厚度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述保护层的厚度为1nm至5nm,所述功能调节层的厚度为5nm至20nm。

6.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述保护层材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝中任一种，所述功能调节层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、多晶硅中任一种。

7.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法还包括：

在第三温度条件下，在所述功能调节层上形成平坦层；

其中，所述第三温度大于所述第一温度，所述第三温度小于形成所述功能调节层的第二温度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第三温度为450℃至550℃。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述提供一包括多个沟道开孔的堆叠层的步骤包括：

在衬底上形成堆叠材料层；

在所述堆叠材料层形成多个纵截面形状为倒梯形的沟道开孔。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件由权利要求1至9中任一项所述的半导体器件的制作方法制作而成。

CN114300466A说明书1/7页

3

半导体器件及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制作方法。

背景技术

[0002]近些年，NAND闪存是一种功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，在断电情况下仍然能保持存储的数据信息，在电子产品中得到了广泛的应用。而3DNAND(三维存储器)是一种新型的闪存类型，能够在二维NAND闪存的基础上，进一步提高了存储容量，降低存储成本，在三维存储器的制