FeZnO薄膜体系自旋相关输运特性：机理、影响因素及应用探索.docx

FeZnO薄膜体系自旋相关输运特性：机理、影响因素及应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对电子器件性能的要求日益提高，传统的基于电子电荷属性的电子学逐渐面临瓶颈。在此背景下，自旋电子学应运而生，成为凝聚态物理、材料科学和信息科学等多学科交叉的研究热点。自旋电子学利用电子的自旋和磁矩特性，旨在实现信息的高效存储、处理和传输，为突破传统电子学的限制提供了新的途径。

1988年巨磁电阻（GMR）效应的发现，标志着自旋电子学的正式兴起。此后，隧穿磁电阻（TMR）效应、自旋转移矩（STT）效应、自旋霍尔效应等一系列与自旋相关的新效应不断涌现，推动了自旋电子学的快速发