CN114300444A 一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法 （北京燕东微电子科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114300444A布日2022.04.08

(21)申请号202111676857.1

(22)申请日2021.12.31

(71)申请人北京燕东微电子科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区经海四路51号院1号楼5层516

(72)发明人代佳张小麟于江勇

(74)专利代理机构北京正理专利代理有限公司

11257

代理人付生辉

(51)Int.CI.

HO1L23/544(2006.01)

H01L21/66(2006.01)

G01R31/28(2006.01)

G01R31/52(2020.01)

权利要求书2页说明书11页附图9页

(54)发明名称

一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法

(57)摘要

CN114300444A本发明实施例公开了一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法。该测试结构用于监测在晶圆的管芯区中形成器件结构的工艺异常，包括：沿第一方向延伸的浅沟槽隔离区和由浅沟槽隔离区隔离的至少两个有源区；形成在浅沟槽隔离区和有源区上的至少两个沿第二方向延伸的栅极结构，其中，栅极结构至少与两个有源区交叠，并且栅极结构的线宽与器件结构中形成的最小线宽的栅极结构的线宽一致；覆盖栅极结构、有源区和浅沟槽隔离区的层间介质层，其中在覆盖测试结构的栅极结构两侧有源区的层间介质层中形成有接触孔；在层间介质层上形成的至少两个沿第一方向延伸的金属走线，金属走线与至少两个有源区一一对应，通过接触孔

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CN114300444A权利要求书1/2页

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1.一种测试结构，形成在晶圆的测试区中，用于监测在所述晶圆的管芯区中形成器件结构的工艺异常，

其特征在于，所述测试结构包括：

沿第一方向延伸的浅沟槽隔离区和由所述浅沟槽隔离区隔离的至少两个有源区；

形成在所述浅沟槽隔离区和有源区上的至少两个沿第二方向延伸的栅极结构，其中，所述栅极结构至少与两个有源区交叠，并且所述栅极结构的线宽与所述器件结构中形成的最小线宽的栅极结构的线宽一致；

覆盖所述测试结构中的栅极结构、有源区和浅沟槽隔离区的层间介质层，其中在覆盖所述测试结构中的栅极结构两侧有源区的层间介质层中形成有接触孔；

在所述层间介质层上形成的至少两个沿第一方向延伸的金属走线，其中，所述金属走线与所述至少两个有源区一一对应，通过所述接触孔与对应的有源区电接触。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，

所述测试区位于所述晶圆的划片道中，所述测试结构中的栅极结构在所述第二方向上的长度为所述划片道宽度的1/2以上。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，还包括：

第一焊盘和第二焊盘，分别连接所述至少两个金属走线中任意相邻的两个金属走线；

所述多个有源区在所述第一方向上的长度为所述第一焊盘和第二焊盘间距的4/5以上。

4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括：

沿所述第二方向形成在所述栅极结构两侧的侧墙。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的测试结构，其特征在于，

所述有源区的线宽与所述器件结构中形成的最小线宽的有源区的线宽一致；和/或所述接触孔的尺寸与所述器件结构中形成的接触孔的尺寸一致；和/或

所述金属走线的线宽与所述器件结构中形成的最小线宽的金属走线的线宽一致。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的测试结构，其特征在于，所述有源区中还形成源区和漏区，分别位于栅极结构的两侧。

7.一种测试结构的制作方法，所述测试结构用于监测在晶圆的管芯区中形成器件结构的工艺异常，其特征在于，所述方法包括：

在晶圆的测试区中形成沿第一方向延伸的浅沟槽隔离区和由所述浅沟槽隔离区隔离的至少两个有源区，所述浅沟槽隔离区和有源区与所述器件结构中的浅沟槽隔离区和有源区同步形成；

在所述测试区中的浅沟槽隔离区和有源区上形成至少两个沿第二方向延伸的栅极结构，其中，所述栅极结构至少与两个有源区交叠，并且所述栅极结构与所述器件结构中的栅极结构同步形成，且线宽与所述器件结构中形成的最小线宽的栅极结构的线宽一致；

形成覆盖所述测试区中的栅极结构、有源区和浅沟槽隔离区的层间介质层，其中在覆盖所述测试结构的栅极结构两侧有源区的层间介质层中