CN112636002A 一种基于tft工艺的可调谐超材料器件及其制作方法 （北京航空航天大学青岛研究院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN112636002A布日2021.04.09

(21)申请号202011506665.1

(22)申请日2020.12.18

(71)申请人北京航空航天大学青岛研究院

地址266100山东省青岛市崂山区松岭路

393号6号楼5楼

(72)发明人温良恭白中扬李河霖

(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司11002

代理人李青

(51)Int.CI.

HO1QHO1L

HO1L

15/00(2006.01)

27/12(2006.01)

21/77(2017.01)

权利要求书1页说明书7页附图5页

(54)发明名称

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CN112636002A(57)摘要本发明实施例提供一种基于TFT工艺的可调谐超材料器件及其制作方法，包括：TFT单元；多个导电层，形成在所述TFT单元上并且通过通孔与所述TFT单元的源/漏极电联接；以及超材料单元，至少部分地形成在所述多个导电层中的一个或多个中并通过所述通孔与所述源/漏极电联接。该器件不仅易于实现可控超材料阵列，进而大面积生产可控超材料调控系统，与TFT工艺兼

CN112636002A

(57)摘要

CN112636002A权利要求书1/1页

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1.一种基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，包括：

TFT单元，包括衬底以及设置在所述衬底上的栅极和源/漏极；

多个导电层，形成在所述TFT单元上并且通过通孔与所述TFT单元的所述源/漏极电联接；以及

超材料单元，至少部分地形成在所述多个导电层中的一个或多个中并通过所述通孔与所述源/漏极电联接。

2.根据权利要求1所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，进一步包括：

TFT兼容电路，电联接到所述栅极以通过控制所述栅极的电压来对所述超材料单元的电磁响应特性进行调制。

3.根据权利要求2所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，

所述TFT兼容电路包括：

数字化控制单元，控制所述TFT单元的截止与导通以对所述超材料单元的电磁响应特性进行数字化调制；和/或

模拟化控制单元，控制所述栅极的沟道电压以对所述超材料单元的电磁响应特性进行模拟化调制。

4.根据权利要求3所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，一个所述TFT单元对应一个或多个所述超材料单元。

5.根据权利要求1～4任一项所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，

所述超材料单元为线状结构、十字结构、渔网结构、矩形环结构、圆形环结构、回字状结

构、开口谐振环中的一种或多种。

6.根据权利要求1～4所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，

所述超材料单元由铝、铜、银、钴、钛、氧化铟锡、金、铁、铂、钼、铬、钨、镍中的一种或多种构成。

7.根据权利要求1所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，

所述TFT单元为氧化物薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，

所述TFT单元的结构为顶栅顶接触型、顶栅底接触型、底栅顶接触型、底栅底接触型中的一种。

9.一种根据权利要求1～8任一项所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件的制作方法，其特征在于，包括：

制作TFT单元；

在TFT单元上形成多个导电层，使得所述多个导电层通过通孔与所述TFT单元的源/漏极电联接；以及

部分地在所述多个导电层中的一个或多个导电层中形成超材料单元，使得所述超材料单元通过所述通孔与所述TFT单元的源/漏极电联接。

CN112636002A说明书1/7页

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一种基于TFT工艺的可调谐超材料器件及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及超材料技术领域，尤其涉及一种基于TFT工艺的可调谐超材料器件及其制作方法。

背景技术

[0002]超材料(Metamaterials),又称人工特异性材料，是一种按照一定规律进行排列分布的人工电磁媒质。超材料