CN112635589A 基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器及制作方法 （长沙理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112635589A

(43)申请公布日2021.04.09

(21)申请号202011523761.7

(22)申请日2020.12.22

(71)申请人长沙理工大学

地址410114湖南省长沙市雨花区万家丽

南路二段960号

(72)发明人邹望辉莫嘉豪武俞刚王淳风

(74)专利代理机构长沙智路知识产权代理事务所(普通合伙)43244

代理人张毅

(51)Int.CI.

HO1L31/0232(2014.01)

H01L31/028(2006.01)

H01L31/18(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器及制作方法

(57)摘要

CN112635589A本发明涉及一种基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器及制作方法，其中，光探测器包括：衬底、隔离层和光探测结构；隔离层的材料为氧化硅；光探测结构包括脊型波导、石墨烯层和叉指电极结构；脊型波导的材料为氮化硅；脊型波导包括基部和脊部；基部的宽度大于脊部的宽度；石墨烯层位于脊型波导基部之上；在所述石墨烯层之上设置有与所述石墨烯层形成接触的第一金属层和第二金属层；所述第一金属层和第二金属层沿波导传输方向交替放置，并按叉指方式排列，同时向脊型波导基部两侧延伸出来，形成叉指电极结构。其石墨烯层相比传统结构更接近波导中心，与导模的相互作用更强，因此可以获得更高性能，有效避免石墨烯层断裂影响

CN112635589A

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CN112635589A权利要求书1/2页

2

1.一种基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器，其特征在于，所述光探测器包括：衬底(101)、隔离层(102)和光探测结构(300);

所述隔离层(102)的材料为氧化硅；

所述光探测结构(300)包括脊型波导(103)、石墨烯层(106)和叉指电极结构；

所述脊型波导(103)的材料为氮化硅；

所述脊型波导(103)包括基部(104)和脊部(105);

所述基部(104)的宽度大于脊部(105)的宽度；

所述石墨烯层(106)位于脊型波导基部(104)之上；

在所述石墨烯层(106)之上设置有与所述石墨烯层(106)形成接触的第一金属层(107)和第二金属层(108);

所述第一金属层(107)和第二金属层(108)沿波导传输方向交替放置，并按叉指方式排列，同时向脊型波导基部(104)两侧延伸出来，形成叉指电极结构。

2.根据权利要求1所述的基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器，其特征在于，所述衬底(101)为半导体材料或半导体集成电路芯片。

3.根据权利要求1所述的基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器，其特征在于，所述第一金属层(107)的材料为钛、镍、钯和钴中的一种。

4.根据权利要求1所述的基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器，其特征在于，所述第二金属层(108)的材料为钛、镍、钯和钴中的一种。

5.根据权利要求1所述的基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器，其特征在于，在所述第一金属层(107)和第二金属层(108)之上，设置有第三金属层(109)和第四金属层

(110);

所述第三金属层(109)和第四金属层(110)分别与所述第一金属层(107)和第二金属层(108)形成接触。

6.根据权利要求5所述的基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器，其特征在于，所述第三金属层(109)和第四金属层(110)的材料为金、银、铂、铜和铝中的一种。

7.制作如权利要求1-4中任一所述的基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器的方法，其特征在于，所述方法包括步骤：

S1、在衬底(101)上沉积氧化硅材料形成隔离层(102);

S2、在所述隔离层(102)上沉积氮化硅材料，图形化形成脊型波导基部(104);

S3、在所述脊型波导