氧化锌基发光器件:性能优化与应用探索
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今光电子领域,发光器件作为核心元件,广泛应用于照明、显示、通信以及生物医学等众多关键领域,其性能的优劣直接影响着这些领域的发展水平与创新能力。随着科技的飞速进步和社会需求的不断增长,对发光器件性能的要求愈发严苛,高性能发光器件的研发成为光电子领域的核心任务与前沿热点。
氧化锌(ZnO)作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料,凭借其独特而卓越的物理性质,在发光器件领域展现出巨大的应用潜力,吸引了全球科研人员的广泛关注与深入研究。ZnO的禁带宽度约为3.37eV,激子结合能高达60meV,从理论层面分析,这使其具备实现
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