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《智能计算忆阻器测试方法第3部分：脉冲依赖可塑性》标准立项与发展报告

EnglishTitle:*StandardizationDevelopmentReporton“IntelligentComputing—TestMethodsforMemristors—Part3:Spike-Timing-DependentPlasticity”*

摘要：

随着人工智能技术的爆炸式增长，传统计算架构的“存储墙”与“能耗墙”瓶颈日益凸显。神经形态计算，作为一种模拟生物神经网络、实现存算一体的新型计算范式，被视为后摩尔时代突破上述瓶颈的关键路径。忆阻器因其独特的电导连续可调特性，成为实现神经形态突触功能最具潜力的物理载体，其脉冲依赖可塑性是模拟生物学习与记忆机制的核心。然而，当前该领域缺乏统一、科学的测试标准，导致研发与产业界在器件性能表征、测试流程和结果评估上存在巨大差异，严重阻碍了技术交流、性能对标与产业化进程。本报告围绕《智能计算忆阻器测试方法第3部分：脉冲依赖可塑性》标准的立项，系统阐述了其制定的紧迫性与战略意义。报告详细分析了标准旨在解决的行业痛点，明确了其适用范围与核心技术内容框架，包括对脉冲时序依赖可塑性与脉冲频率依赖可塑性两大核心特性的标准化测试方法、测试装置与环境要求、以及规范的测试报告格式。本标准的制定将填补国内乃至国际在该细分领域的标准空白，为忆阻器神经形态器件的研究、开发、性能评估与产业化提供关键的技术依据与质量保障，有力支撑我国在智能计算与新一代集成电路领域的战略布局。

关键词：

神经形态计算；NeuromorphicComputing

忆阻器；Memristor

脉冲依赖可塑性；Spike-Timing-DependentPlasticity(STDP)

测试标准；TestStandard

存算一体；In-MemoryComputing

标准化；Standardization

集成电路；IntegratedCircuit

正文

一、立项背景与战略意义

当前，全球信息技术正经历由数据驱动向智能驱动的深刻变革。人工智能，特别是深度学习，对算力与能效提出了近乎无限的需求。然而，基于冯·诺依曼架构的传统计算系统，其计算单元与存储单元在物理上的分离导致了频繁且高能耗的数据搬运，形成了制约算力提升的“存储墙”和“能耗墙”。这一根本性瓶颈促使学术界和产业界积极寻求超越传统架构的创新计算范式。

神经形态计算应运而生，它通过硬件电路直接模拟生物神经网络的结构与信息处理机制，具备高并行性、低功耗和存算融合的天然优势，是突破上述瓶颈、实现高能效智能计算的重要方向。自概念提出以来，神经形态计算获得了全球范围内的战略重视。例如，美国通过其国防高级研究计划局（DARPA）、半导体行业协会（SIA）的《半导体十年计划》以及能源部（DOE）等多渠道，系统性地布局并资助神经形态芯片与硬件的研发，旨在确立其在新一代计算技术中的领先地位。欧盟、中国等也相继将其列为重点发展领域。

在神经形态硬件实现中，突触是模拟学习与记忆功能的核心。忆阻器作为一种两端非线性电阻器件，其阻值（电导）能够在外加电脉冲的激励下发生连续、非易失性的改变，这一特性与生物突触的“权重”调节行为高度相似，使其成为实现人工突触的理想候选者。基于忆阻器阵列构建的神经形态系统，在图像识别、语音处理、类脑计算等领域已展现出巨大的应用潜力。

然而，产业的健康发展离不开标准的规范与引导。目前，针对忆阻器实现脉冲依赖可塑性这一核心功能的测试，行业处于“各自为政”的状态。不同研究机构与企业采用的测试脉冲波形、时序设置、电导读取方法、性能评估指标等均不统一。这种混乱局面导致了三大核心问题：第一，测试结果可靠性存疑，不同实验室对同一类器件的测试数据可能无法直接比较或复现；第二，技术交流成本高昂，研究人员需花费大量精力理解对方非标准的测试条件，阻碍了有效的学术与产业对话；第三，产业化进程受阻，缺乏统一的性能评价“标尺”，使得器件选型、系统集成和产品验收无据可依，严重制约了从实验室走向市场的步伐。

因此，制定《智能计算忆阻器测试方法第3部分：脉冲依赖可塑性》标准，其目的与意义在于：统一测试方法论，建立性能评估基准，打通研发与产业化的关键环节。该标准将为忆阻器神经形态器件提供一个科学、公正、可重复的“体检”规范，确保性能数据的准确性与可比性，降低产业链各环节的沟通与技术门槛，加速创新成果的转化与应用，从而有力支撑我国在智能计算核心硬件领域的自主创新与产业竞争力提升，符合《国家标准化发展纲要》中关于在新兴技术领域前瞻布局标准的要求。

二、标准范围与主要技术内容

本标准作为《智能计算忆阻器测试方法》系列标准的重要组成部分，聚焦于忆阻器类脑特性的