CN112086282B 一种带磁芯的微型化三维电感制作方法和结构 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN112086282B公告日2022.05.03

(21)申请号202010731103.0

(22)申请日2020.07.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112086282A

(43)申请公布日2020.12.15

(73)专利权人电子科技大学

地址610000四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

专利权人厦门云天半导体科技有限公司

(72)发明人薛恺钟智勇郑宗森叶根祥林志滨王康

(74)专利代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司35204

代理人连耀忠林燕玲

(51)Int.CI.

H01F41/04(2006.01)

H01F41/02(2006.01)H01F27/28(2006.01)

H01F27/24(2006.01)

审查员高静静

权利要求书1页说明书4页附图5页

(54)发明名称

一种带磁芯的微型化三维电感制作方法和结构

(57)摘要

CN112086282B302220一种带磁芯的微型化三维电感的制作方法和结构，包括如下步骤：1)在磁性衬底上制作至少一微槽结构；2)在隐性框架衬底上制作若干通孔，并往通孔内填充金属材料；3)对隐性框架衬底进行切割构成若干具有的金属材料的隐性框架，将隐性框架嵌入微槽结构内并固定；4)在磁性衬底的正面和背面分别制作第一平面互联结构和第二平面互联结构，该第一平面互联结构和第二平面互联结构分别与隐性框架的金属材料

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CN112086282B权利要求书1/1页

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1.一种带磁芯的微型化三维电感的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在磁性衬底上制作至少两微槽结构，微槽结构为通孔且微槽之外构成磁芯；

2)在隐性框架衬底上制作若干通孔，并往通孔内填充金属材料；

3)对隐性框架衬底进行切割构成若干具有的金属材料的隐性框架，将隐性框架嵌入微槽结构内并固定，每个隐性框架设有多个填充有金属材料的通孔；

4)在磁性衬底的正面和背面分别制作第一平面互联结构和第二平面互联结构，该第一平面互联结构和第二平面互联结构分别与两隐性框架的金属材料电性连接构成至少一电感绕组。

2.如权利要求1所述的一种带磁芯的微型化三维电感的制作方法，其特征在于，采用激光刻蚀、等离子体轰击、喷砂或超声波刻蚀制作所述微槽结构。

3.如权利要求1所述的一种带磁芯的微型化三维电感的制作方法，其特征在于，所述微槽结构的边长为0.05-3mm。

4.如权利要求1所述的一种带磁芯的微型化三维电感的制作方法，其特征在于，所述隐性框架衬底为硅、玻璃、陶瓷或有机基板，其厚度为0.05-3mm。

5.如权利要求1所述的一种带磁芯的微型化三维电感的制作方法，其特征在于，步骤2)中，采用涂胶、光刻、曝光、显影、刻蚀和去胶制作所述通孔。

6.如权利要求1所述的一种带磁芯的微型化三维电感的制作方法，其特征在于，步骤2)中，往通孔内填充金属材料具体包括：先在隐性框架衬底的正面和背面制作金属薄膜，利用电镀工艺填充通孔。

7.如权利要求1所述的一种带磁芯的微型化三维电感的制作方法，其特征在于，所述隐性框架的长度和宽度分别小于微槽结构的长度和宽度；所述隐性框架的长度和宽度与微槽结构的长度和宽度的差值在lum-400um之间。

8.如权利要求1所述的一种带磁芯的微型化三维电感的制作方法，其特征在于，所述隐性框架的高度和通孔的高度的差值在-50um至+50um之间；采用胶类物质将所述隐性框架固定于所述微槽结构内。

9.一种带磁芯的微型化三维电感结构，其特征在于：包括磁性衬底、两隐性框架、第一平面互联结构和第二平面互联结构；该磁性衬底开设有至少两微槽结构，微槽为通孔且微槽结构之外构成磁芯；该两隐性框架嵌于微槽结构内并填充有金属材料，该第一平面互联结构位于磁性衬底正面且与金属材料电性相连；该第二平面互联结构位于磁性衬底背面且与金属材料电性连接。

10.如权利要求9所述的一种带磁芯的微型化三维电感结构，其特征在于：所述磁性衬底设有至少两隐性框架，每个隐性框架设有多个填充有金属材料的通孔；第一平面互联结构和第二平面互联结构分别设有多个金属线路，第一平面互联结构的金属线路连接于两隐性框架正面的两对应的通孔之间，第二平面互联结构的金属线路连接于两隐性框架