CN112216741B 高电子迁移率晶体管的绝缘结构以及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112216741B(45)授权公告日2024.05.17

(21)申请号201910618716.0

(22)申请日2019.07.10

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112216741A

(43)申请公布日2021.01.12

(73)专利权人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人张峻铭廖文荣

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师陈小雯

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

(56)对比文件

CN107046053A,2017.08.15

JP2015119028A,2015.06.25US2016260827A1,2016.09.08US2018033682A1,2018.02.01

审查员赖淑妹

权利要求书2页说明书5页附图8页

(54)发明名称

高电子迁移率晶体管的绝缘结构以及其制

作方法

(57)摘要

CN112216741B本发明公开一种高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT)的绝缘结构以及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管的绝缘结构，包含一氮化镓层，一氮化铝镓层，位于该氮化镓层上，一绝缘掺杂区，位于该氮化

CN112216741B

2

CN112216741B权利要求书1/2页

1.一种高电子迁移率晶体管(high

electron

mobility

transistor,HEMT)的绝缘结

构，其特征在于，包含：

氮化镓层；

氮化铝镓层，位于该氮化镓层上；

绝缘掺杂区，位于该氮化镓层与该氮化铝镓层中；以及

两侧壁绝缘结构，分别位于该绝缘掺杂区的两侧，

其中部分该氮化镓层与部分该氮化铝镓层之间包含有二维电子气层，该两侧壁绝缘结构的每一个直接接触该绝缘掺杂区和该二维电子气层，且该绝缘掺杂区不直接接触该二维电子气层。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构，其中该绝缘掺杂区包含有多个掺杂离子，该些掺杂离子包含有氦(He)、磷(P)、氩(Ar)、氮(N)、氧(0)或砷(As)离子。

3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构，其中该两侧壁绝缘结构包含有绝缘层，位于两凹槽中，且该两凹槽分别位于该绝缘掺杂区的两侧。

4.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构，其中该绝缘层覆盖于该绝缘掺杂区上。

5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构，其中该二维电子气层不位于该绝缘掺杂区中。

6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构，还包含有缓冲层，位于该氮化镓层下方。

7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构，其中该绝缘掺杂区的范围包含部分该氮化镓层、部分该氮化铝镓层以及部分该缓冲层。

8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构，其中该两侧壁绝缘结构中的至少一个该侧壁绝缘结构的底面低于该绝缘掺杂区的底面。

9.一种形成高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT)的绝缘结构的方法，包含：

形成氮化镓层；

形成氮化铝镓层于该氮化镓层上；

进行掺杂步骤，以掺杂多个离子于该氮化镓层与该氮化铝镓层中，并且在该氮化镓层与该氮化铝镓层中形成绝缘掺杂区；

形成两凹槽于该绝缘掺杂区的两侧；以及

填入绝缘层于该两凹槽中，并形成两侧壁绝缘结构分别位于该绝缘掺杂区的两侧，

其中部分该氮化镓层与部分该氮化铝镓层之间包含有二维电子气层，该两侧壁绝缘结

构的每一个直接接触该绝缘掺杂区和该二维电子气层，且该绝缘掺杂区不直接接触该二维电子气层。

10.如权利要求9所述的形成高电子迁移率晶体管的绝缘结构的方法，其中该绝缘掺杂区包含有多个掺杂离子，该些掺杂离子包含有氦(He)、磷(P)、氩(Ar)、氮(N)、氧(0)或砷(As)离子。

11.如权利要求9所述的形成高电子迁移率晶体管的绝缘结构的方法，其中还包含：

在该氮化铝镓层形成后，形成第一图案化光致抗蚀剂层于该氮化铝镓层上；以及

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