CN112216740B 高电子迁移率晶体管的绝缘结构以及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112216740B(45)授权公告日2024.08.06

(21)申请号201910613589.5

(22)申请日2019.07.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112216740A

(43)申请公布日2021.01.12

(73)专利权人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人张峻铭廖文荣

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师陈小雯

(51)Int.CI.

(56)对比文件

CN103890923A,2014.06.25

US2019198384A1,2019.06.27

CN204732413U,2015.10.28

US2001041422A1,2001.11.15

CN101728385A,2010.06.09审查员赖淑妹

HO1L29/778(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图5页

(54)发明名称

高电子迁移率晶体管的绝缘结构以及其制

作方法

(57)摘要

本发明公开一种高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT)的绝缘结构以及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管的绝缘结构包含一氮化镓层，一氮化铝镓层，位于该氮化镓层上，一凹槽，位于该氮化镓层与该氮化铝镓层中，一绝缘层，位于该凹槽内，其中该绝缘层的一顶面与该氮化铝镓层的一顶面切齐，以及一钝化层，位于该氮化铝镓层与该绝缘

CN

CN112216740B

2

CN112216740B权利要求书1/2页

1.一种高电子迁移率晶体管(high

electron

mobility

transistor,HEMT)的绝缘结

构，其特征在于，包含：

氮化镓层；

氮化铝镓层，位于该氮化镓层上；

凹槽，位于该氮化镓层与该氮化铝镓层中；

钝化层，位于该氮化铝镓上与该凹槽中；以及

绝缘层，位于该凹槽内并填满该凹槽，其中该绝缘层的顶面与该钝化层的顶面切齐且高于该氮化铝镓层的顶面。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构，其中部分该氮化镓层与部分该氮化铝镓层之间包含有二维电子气层。

3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构，其中该二维电子气层不位于该绝缘层中。

4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构，还包含有缓冲层，位于该氮化镓层下方。

5.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构，其中该凹槽的范围包含部分该氮化镓层、部分该氮化铝镓层以及部分该缓冲层。

6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构，其中该钝化层与该绝缘层的材质不同。

7.一种高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT)的绝缘结构的形成方法，包含：

形成氮化镓层；

形成氮化铝镓层于该氮化镓层上；

形成第一图案化光致抗蚀剂层于该氮化铝镓层上；

形成凹槽于该氮化镓层与该氮化铝镓层中；

形成绝缘层并填满该凹槽；

形成第二图案化光致抗蚀剂层于该绝缘层上，其中该第一图案化光致抗蚀剂层的图案与该第二图案化光致抗蚀剂层的图案互补；

移除部分的该绝缘层；

移除该第二图案化光致抗蚀剂层；以及

对剩余的该绝缘层进行回蚀刻步骤，以再次移除部分该绝缘层。

8.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构的形成方法，其中形成该第一图案化光致抗蚀剂层与形成该第二图案化光致抗蚀剂层的过程中使用同一光掩模。

9.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构的形成方法，其中形成该第一图案化光致抗蚀剂层与形成该第二图案化光致抗蚀剂层的过程中使用不同的光致抗蚀剂。

10.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构的形成方法，在该回蚀刻步骤之后，还包含形成钝化层于剩余的该绝缘层上。

11.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构的形成方法，其中在该回蚀刻步骤之后，剩余的该绝缘层的顶面与该氮化铝镓层的顶面齐平。

12.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管的绝缘结构的形成方法，其中在该凹槽形

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