半导体材料的应用PPT课件.pptxVIP

第1章半导体器件及其应用

半导体的基础知识Text

半导体二极管Text

半导休三极管

场效应管

晶闸管

第1章半导体元件及其特征

Text

Text

Text

1.1半导体的基础知识

导体

物质按导电性能可分半导体

绝缘体

半导体材料有：硅(Si)和锗(Ge)

1.1.1本征半导体

本征半导体——纯净的半导体。

共价键形式存在。

+4+4

+4表示除

去价电子

后的原子

等。

硅和锗的晶

体结构：

共价键共

用电子对

第1章半导体元件及其特征

1、本征半导体的两种载流子------电子和空穴

空穴自由电子

束缚电子

2、本征半导体的特性

光敏特性——光照增强时，导电性能加强。

热敏特性——温度升高时，导电性能加强。

可掺杂特性——掺入微量的其他元素，导电能力大大加强。

第1章半导体元件及其特征

3、杂质半导体

杂质半导体的分类：N型半导体和P型半导体。

N型半导体——电子型半导体

在本征半导体中掺入五价元素，由于杂质原子的最外层有5个价电子，因此它与周围4个硅(锗)原子组成共价键时，多余出1个价电子，

它不受共价键的束缚而为自由电子，并留下带正电的杂质离子，它不能参与导电。

N型半导体的多子

N型半导体的少子

P型半导体——空穴型半导体

在本征半导体中掺入三价元素，由于杂质原子的最外层有3个价电子，因此它与周围4个硅(锗)原子组成共价键时，多余出1个“空位子”

即空穴。

P型半导体的多子

P型半导体的少子

注意：

1.不论N型半导体还是P型半导体都是电中性，对外不显电性。

2.杂质半导体多子和少子移动都形成电流。主要是多子起导电作用。

1.1.2PN结

1.PN结的形成

在半导体基片上分别制造N型和P型两种半导体。经过载流子的扩散运动和漂移运动，两运动最终达到平衡，由离子薄层形成的空间电荷

区称为PN结。内电场越强，就使漂移

运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。

P型半导体

0

o

空间电荷区，

也称耗尽层。

o

扩散运动

漂移运动

内电场E

第1章半导体元件及其特征

N型半导体

扩散运动自由电子

N

区

(a)P区与N区中载流子的扩散运动

PN结的形成

1.1.2PN结

1.PN结的形成

第1章半导体元件及其特征

2.PN结的单向导电性

PN结加正向电压——正偏的意思是：P区加正、N区加负电压。

PN结加反向电压——反偏的意思是：P区加负、N区加正电压。

十

PN

内电场被削弱，多子

的扩散加强能够形成较大的扩散电流。

第1章半导体元件及其特征

PN结处于导通状态。

内电场

E

外电场一

R

PN结正向偏置

变薄

PN反向偏置变厚

P

内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反

向电流。

←—外电场

R

E

PN结处于截止状态。

第1章半导体元件及其特征

1.2半导体二极管

1.2.1二极管的结构和符号

二极管的结构按PN结形成的制造工艺方式分：点接触型

面接触型

触丝线点接触型

PN结

面接触型

引线外壳线基片

适合用作高频检波器件。适用于作整流器件

第1章半导体元件及其特征

二极管按用途分为：整流管、

检波二极管、

稳压二极管、

光电二极管

开关二极管等。

1.2.2二极管的伏安特性

1.二极管伏安特性———通过二极管的电流I与端电压U之间的关系

曲线。

死区电压硅管

0.6V,锗管0.2V。

反向击穿

电压UBR

导通压降：硅管0.6~0.7V,锗

管0.2～0.3V。

第1章半导体元件及其特征

正向特性：

1.死区电压

硅管的死区电压约为0.5V

锗管的死区电压约为0.1V

2.正向导通压降Up

硅管的U为0.7V

锗管的U为0.3V

第1章半导体元件及其特征

第1章半导体元件及其特征

反向特性

反向饱和电流

硅管的反向饱和电流为1微安以下

锗管的反向饱和电流为几十到几百微安

反向击穿电压。

发生反向击穿后，

造成二极管的永久性损坏，

失去单向导电性。

1.2.3温度对二极管特性的影响

温度升高二极管的正向压降将减小；

反向饱和电流随将增加；

反向击穿电压将降低

第1章半导体元件及其特征

1.2.4半导体器件型号命名法

根据国家标准，半导体器件的型号由五部分组成：

一、用阿拉伯数字表示器件的电极数目，

规