CN112133691A 半导体结构及其制作方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN112133691A布日2020.12.25

(21)申请号202010579349.0

(22)申请日2020.06.23

(30)优先权数据

62/865,3252019.06.24US

16/843,8602020.04.08US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力

行六路八号

(72)发明人陈明发叶松拳刘醇鸿史朝文

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限

公司32243代理人王素琴

(51)Int.CI.

HO1L23/528(2006.01)

HO1L23/48(2006.01)

权利要求书1页说明书30页附图47页

(54)发明名称

半导体结构及其制作方法

(57)摘要

CN112133691A140-140s240250200s一-2101305130d1130A130p1P1本揭露实施例是有关于一种半导体结构及其制作方法。一种半导体结构包括第一半导体器件、第二半导体器件、连接器件以及重布线路结构。第一半导体器件接合在第二半导体器件上。连接器件接合在第二半导体器件上且排列在第一半导体器件旁边，其中连接器件包括第一衬底及多个导通孔，导通孔穿透过第一衬底且电连接

CN112133691A

140-

140s

240

250

200s一-210

1305

130d1

130A

130p1

P1

CN112133691A权利要求书1/1页

2

1.一种半导体结构，包括：

第一半导体器件及第二半导体器件，其中所述第一半导体器件接合在所述第二半导体器件上；

连接器件，接合在所述第二半导体器件上且排列在所述第一半导体器件旁边，其中所述连接器件包括第一衬底及多个导通孔，所述多个导通孔穿透过所述第一衬底且电连接到所述第二半导体器件；以及

重布线路结构，位于所述第二半导体器件之上，其中所述第一半导体器件及所述连接器件位于所述重布线路结构与所述第二半导体器件之间，

其中所述重布线路结构及所述第一半导体器件通过所述连接器件的所述多个导通孔电连接到所述第二半导体器件。

CN112133691A说明书1/30页

3

半导体结构及其制作方法

技术领域

[0001]本发明实施例是有关于一种半导体结构及其制作方法。

背景技术

[0002]各种电子应用(例如，手机及其他移动电子设备)中所使用的半导体器件及集成电路通常是在单个半导体晶片上制造。在晶片级工艺中，可对晶片的管芯进行加工并与其他半导体装置或其他管芯封装在一起，且已针对晶片级封装开发了各种技术。

发明内容

[0003]本发明实施例提供一种半导体结构包括第一半导体器件、第二半导体器件、连接器件以及重布线路结构。第一半导体器件接合在第二半导体器件上。连接器件接合在第二半导体器件上且排列在第一半导体器件旁边，其中连接器件包括第一衬底及多个导通孔，导通孔穿透过第一衬底且电连接到第二半导体器件。重布线路结构位于第二半导体器件之上，其中第一半导体器件及连接器件位于重布线路结构与第二半导体器件之间。重布线路结构及第一半导体器件通过连接器件的导通孔电连接到第二半导体器件。

附图说明

[0004]接合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

[0005]图1到图14是示出根据本公开一些实施例的半导体结构的制作方法中的各个阶段的示意性剖视图。

[0006]图15是例示出根据本公开一些实施例的半导体结构的半导体管芯与硅穿孔之间的相对位置的示意性俯视图。

[0007]图16是例示出根据本公开一些实施例的半导体结构的半导体管芯与硅穿孔之间的相对位置的示意性俯视图。

[0008]图17到图28是示