CN112397581A 隧道场效应晶体管及其制作方法 （光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN112397581A布日2021.02.23

(21)申请号202011295454.8

(22)申请日2020.11.18

(71)申请人光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

地址201306上海市浦东新区南汇新城镇

环湖西二路888号C楼

(72)发明人孔繁生周华

(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294

代理人孙佳胤

(51)Int.CI.

H01L29/739(2006.01)

H01L21/331(2006.01)

H01L29/15(2006.01)

HO1L29/10(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图5页

(54)发明名称

隧道场效应晶体管及其制作方法

CN112397581

CN112397581A

(57)摘要

本发明提供了一种隧道场效应晶体管及其制作方法。所述隧道场效应晶体管包括：衬底表面垂直设置的源极和漏极，以及源极和漏极之间导电沟道区；导电沟道区外围由内向外环绕设置栅氧化层和栅极；所述导电沟道区的材料为窄带超晶格材料。

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1.一种隧道场效应晶体管，包括：

衬底表面垂直设置的源极和漏极，以及源极和漏极之间导电沟道区；

导电沟道区外围由内向外环绕设置栅介质层和栅极；

其特征在于，

所述导电沟道区的材料为窄带超晶格材料。

2.根据权利要求1所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述源极和漏极亦采用窄带超晶格材料。

3.根据权利要求1或2所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述窄带超晶格材料的禁带宽度范围是0.6-1.3eV。

4.根据权利要求1或2所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述窄带超晶格材料是

IV族半导体材料为基础或III-V族化合物半导体材料为基础的超晶格材料。

5.根据权利要求4所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述IV族半导体材料选自于Si基、Ge基、以及Sn基的超晶格材料中的一种。

6.根据权利要求4所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述III-V族化合物半导体材料选自于GaAs基、InP基、以及InAs基的超晶格材料中的一种。

7.根据权利要求1或2所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述栅介质层在近源极部采用高介电常数材料。

8.一种隧道场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底表面具有交替设置的包括第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层、以及第三导电层的叠层结构，所述叠层结构中具有第一通孔，所述第一通孔暴露出最底层的第一导电层，所述第一导电层作为隧道场效应晶体管的源极；

在所述第一通孔中制作环绕所述第一绝缘层的第一环形绝缘台阶；

在所述第一环形绝缘台阶表面制作导电环，所述导电环与所述第二导电层连接，作为隧道场效应晶体管的栅极；

在所述第一环形绝缘台阶表面和导电环的内壁制作环形栅介质层；

在所述导电环和环形栅介质层的上表面制作第二环形绝缘台阶；

在由第一环形绝缘台阶、环形栅介质层、以及第二环形绝缘台阶的内侧壁共同构成的第二通孔内制作环形导电沟道层，所述环形导电沟道层与环形栅介质层对应的区域为超晶格材料；

在由环形导电沟道层内侧壁构成的第三通孔中形成支撑层；

形成覆盖所述第二环形绝缘台阶、环形导电沟道层、以及支撑层的顶层导电层，所述顶层导电层与第三导电层连接，作为隧道场效应晶体管的漏极。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，环形导电沟道层全部采用窄带超晶格材料。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述窄带超晶格材料的禁带宽度范围是0.6-1.3eV。

11.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述窄带超晶格材料是IV族半导体材料为基础或III-V族化合物半导体材料为基础的超晶格材料。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述IV族半导体材料选自于Si基、Ge基、

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以及Sn基的超晶格材料中的一种。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述III-V族化合物半导体材料选自于