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- 2026-02-07 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN112133794A
(43)申请公布日2020.12.25
(21)申请号202011086603.X
(22)申请日2020.10.12
(71)申请人青海黄河上游水电开发有限责任公
司光伏产业技术分公司
地址810007青海省西宁市西宁经济技术
开发区昆仑东路20号
申请人黄河水电光伏产业技术有限公司
国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
青海黄河上游水电开发有限责任公
司
(72)发明人常纪鹏张敏李得银王冬冬陈燕杨超陈丹石慧君
马岩青陶延宏
(74)专利代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304
代理人孙伟峰
(51)Int.CI.
HO1L31/18(2006.01)
HO1L31/0224(2006.01)
权利要求书1页说明书5页附图4页
(54)发明名称
一种太阳能电池及其制作方法
在
在P型硅基底的背面上进行硼掺杂后,在背面上形成保护层
去除P型硅基底的正面和侧面上形成的
非必要掺杂区后,在背面和侧面上形
成用于阻挡磷离子的隔离层
在P型硅基底的正面上进行磷掺杂,以形成正面的pn结
采用溶解液去除隔离层和保护层
在正面上形成正面电极
在背面上形成背面电极
S2
S3
S5
CN112133794A(57)摘要本发明公开了一种太阳能电池的制作方法,包括:在P型硅基底的背面上进行硼掺杂后,在背面上形成保护层;去除P型硅基底的正面和侧面上形成的非必要掺杂区后,在背面和侧面上形成用于阻挡磷离子的隔离层;在P型硅基底的正面上进行磷掺杂;去除隔离层和保护层;在正面上形成正面电极;在背面上形成背面电极。本发明公开了一种太阳能电池。本发明解决了现有技术
CN112133794A
(57)摘要
CN112133794A权利要求书1/1页
2
1.一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在P型硅基底的背面上进行硼掺杂后,在所述背面上形成保护层;
去除所述P型硅基底的正面和侧面上形成的非必要掺杂区后,在所述背面和所述侧面上形成用于阻挡磷离子的隔离层;
在所述P型硅基底的正面上进行磷掺杂;
去除所述隔离层和所述保护层;
在所述正面上形成正面电极;
在所述背面上形成背面电极。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,去除所述隔离层和所述保护层之前,所述制作方法还包括:
对所述正面的即将形成所述正面电极的区域进行二次磷掺杂,以形成选择性发射区。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,在所述正面上形成所述正面电极之前,所述制作方法还包括:在所述正面上形成增透层。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,在所述正面上形成所述正面电极的方法包括:
在所述增透层上印刷含有腐蚀性溶剂的银浆,使所述银浆刻穿所述增透层后与所述选择性发射区进行接触;
固化所述银浆,以形成所述正面电极。
5.根据权利要求1至4任一所述的制作方法,其特征在于,在所述背面上形成背面电极之前,所述制作方法还包括:在所述背面上形成钝化层。
6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,在所述背面上形成背面电极的方法包括:
在所述钝化层上印刷含有腐蚀性溶剂的银浆,使所述银浆刻穿所述钝化层后与所述背面进行接触;
固化所述银浆,以形成所述背面电极。
7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述隔离层由二氧化硅或者氮化硅制成,所述溶解液为氢氟酸溶液。
8.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述P型硅基底的正面上进行磷掺杂之前,所述制作方法还包括:
在室温条件下,采用体积比为5%~15%的氢氧化钠溶液,对所述正面进行30秒~120秒的清洗;
对清洗后的所述正面进行制绒。
9.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述P型硅基底的背面上进行硼掺杂之前,所述制作方法还包括:
将所述P型硅基底浸泡在体积比为2%~5%的氢氧化钠或者氢氧化钾溶液与去离子水的混合溶液中进行抛光;
其中,所述混合溶液的温度为70℃~80℃,抛光时间为3分钟~5分钟。
10.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池由权利要求1至9任一所述的制作方法来制作。
CN112133794A说明
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