CN111948122A 一种双电阻结构温度补偿式腐蚀电阻探针及其制作方法 （北京科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111948122A

(43)申请公布日2020.11.17

(21)申请号202010829541.0

(22)申请日2020.08.18

(71)申请人北京科技大学

地址100083北京市海淀区学院路30号

(72)发明人付冬梅王高远

(74)专利代理机构北京市广友专利事务所有限责任公司11237

代理人张仲波邓琳

(51)Int.CI.

GO1N17/00(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种双电阻结构温度补偿式腐蚀电阻探针及其制作方法

(57)摘要

CN111948122A本发明公开了一种双电阻结构温度补偿式腐蚀电阻探针及其制作方法，所述腐蚀电阻探针包括三层限位式保护夹板，三层限位式保护夹板包括防水上层、防水下层与限位层，限位层位于防水上层和防水下层之间，三层限位式保护夹板作为外壳保护整体结构；限位层设置有不对称双腐蚀电阻探针、识别码芯片和连接部分，不对称双腐蚀电阻探针和识别码芯片通过连接部分与导线的一端相连，导线的另一端与防水接头相连；不对称双腐蚀电阻探针包括外圈电阻和内圈电阻；外圈电阻不接触待测介质，其阻值与温度相关；内圈电阻暴露于待测介质中，其阻值与温度和腐蚀速率相关。本发明温度矫正精度高，使得间接测量腐蚀速率的精度高，整体结构制作成

CN111948122A

CN111948122A权利要求书1/2页

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1.一种双电阻结构温度补偿式腐蚀电阻探针，其特征在于，包括三层限位式保护夹板，所述三层限位式保护夹板包括防水上层、防水下层与限位层，所述限位层位于所述防水上层和所述防水下层之间，所述三层限位式保护夹板作为外壳保护整体结构；

其中，所述限位层设置有不对称双腐蚀电阻探针、识别码芯片和连接部分，所述不对称双腐蚀电阻探针和所述识别码芯片通过所述连接部分与导线的一端相连，所述导线的另一端与防水接头相连；

所述不对称双腐蚀电阻探针包括外圈电阻和内圈电阻；所述外圈电阻不接触待测介质，其阻值与温度相关；所述内圈电阻暴露于待测介质中，其阻值与温度和腐蚀速率相关。

2.根据权利要求1所述的双电阻结构温度补偿式腐蚀电阻探针，其特征在于，所述内圈电阻以预设间隔设置在所述外圈电阻的内侧，两者的形状均包括：上端半圆部分和与所述上端半圆部分的两端相连的平行线部分。

3.根据权利要求1所述的双电阻结构温度补偿式腐蚀电阻探针，其特征在于，所述三层限位式保护夹板采用防水绝缘材料制作，所述防水绝缘材料包括亚克力、工程塑料。

4.根据权利要求1所述的双电阻结构温度补偿式腐蚀电阻探针，其特征在于，所述不对称双腐蚀电阻探针采用待监测金属材料制作，所述待监测金属材料包括Q235钢、不锈钢。

5.根据权利要求1所述的双电阻结构温度补偿式腐蚀电阻探针，其特征在于，所述识别码芯片中存储所述双电阻温度补偿式腐蚀电阻探针的包括标准参考电阻阻值、出厂电阻、金属材质、使用年限、金属厚度、额定电流、额定工作时间、报警阻值、出厂时间在内的信息。

6.根据权利要求1所述的双电阻结构温度补偿式腐蚀电阻探针，其特征在于，所述识别码芯片采用具有信息储存功能的电子元器件制作，所述具有信息储存能力的电子元器件包括EEPROM、NANDFlash。

7.一种基于权利要求1-6中任一项所述的双电阻结构温度补偿式腐蚀电阻探针的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、使用切割加工设备对三层限位式保护夹板进行加工，形成防水上层、防水下层与限位层；

S2、使用切割加工设备对指定待监测金属材料进行加工，形成不对称双腐蚀电阻探针；S3、对具有信息储存功能的电子元器件进行处理，形成识别码芯片；

S4、对具有电路连接功能的导电材料进行加工，形成连接部分；

S5、将所述不对称双腐蚀电阻探针、所述识别码芯片及导线的一端焊接在所述连接部分，所述导线的另一端连接防水接头；

S6、将所述步骤S5中所得整体放入烘干箱内烘干，烘干结束后对除所述不对称双腐蚀电阻探针中的内圈电阻以外的部分使用中性防水漆喷涂，喷涂完毕后再次对整体烘干；

S7、将所述步骤S6中所得整体置入所述三层限位式保护夹板的限位层，并进行固定，再将所述三层限位式保护夹板的防水上层和防水下层固定在所述限位层的表层以及底层；

S8、将所述步骤S7所得成品连接至检测仪器，检测