CN112103240A 一种基于soi的介质隔离结构制作方法及介质隔离结构 （世特美(苏州)测控技术有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN112103240A布日2020.12.18

(21)申请号202011051681.6

(22)申请日2020.09.29

(71)申请人世特美(苏州)测控技术有限公司地址215000江苏省苏州市张家港保税区

新兴产业育成中心A幢249A室

(72)发明人邵同盟

(74)专利代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司32103

代理人吴芳

(51)Int.CI.

HO1L21/762(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种基于SOI的介质隔离结构制作方法及介质隔离结构

(57)摘要

CN112103240A公开了一种基于SOI的介质隔离结构制作方法及介质隔离结构，制作方法包括：在SDB硅片的顶层硅的上表面作氧化预处理得到二氧化硅层，再淀积氮化硅层；在所述氮化硅层上沉积光刻胶胶膜，并采用负胶接触式曝光；对所述氮化硅层进行干法刻蚀，对所述二氧化硅层进行湿法腐蚀，再进行深槽刻蚀；去胶；在刻蚀形成的槽内侧壁上氧化生长1.7-1.8μm厚的二氧化硅，生长环境的气压大于十个标准大气压；低压力化学气相沉积多晶硅，且所述多晶硅填满所述刻蚀形成的槽；对所述多晶硅进行表面平坦化；去除氮化硅层，再进行场氧化。本发明制作工艺复杂度低，介电隔离结构的高低压两区之间的绝缘性能良好，

CN112103240A

在SDB硅片的顶层硅的上表面作氧化预处理，使形成二氧化硅层

在所述二氧化硅层上淀积氮化硅层

在所述氮化硅层上沉积光刻胶胶膜，并采用负胶接触式曝光

对所迷氮化硅层进行干法刻蚀，

对所述二氧化硅层进行湿法腐蚀，再进行深槽刻蚀，形成槽

去除剩余的光刻胶

在步骤S4中刻蚀形成的槽内侧壁上氧化生长二氧化硅，生长环境的气压大于十个标准大气压

低压力化学气相沉积多品硅，且所迷多晶硅填满所述刻蚀形成的槽

对所迷多晶硅进行表面平坦化

去除氮化硅层，再进行场氧化

S1

S2

S3

S4

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S6

S7

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S9

CN112103240A权利要求书1/1页

2

1.一种基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，使在硅膜厚度为20μm的SOI上实现介电隔离结构的击穿电压大于880V,所述方法包括以下步骤：

S1、在SDB硅片的顶层硅的上表面作氧化预处理，使形成50-55nm的二氧化硅层，所述SDB硅片采用SOI材料；

S2、在所述二氧化硅层上淀积55-60nm的氮化硅层；

S3、在所述氮化硅层上沉积光刻胶胶膜，并采用负胶接触式曝光，所述胶膜的厚度大于1μm;

S4、对所述氮化硅层进行干法刻蚀，对所述二氧化硅层进行湿法腐蚀，再进行深槽刻蚀，形成宽度大于5μm且小于6.2μm的槽；

S5、去除剩余的光刻胶；

S6、在步骤S4中刻蚀形成的槽内侧壁上氧化生长二氧化硅，生长环境的气压大于十个标准大气压，且所述二氧化硅的生长厚度范围为1.7-1.8μm;

S7、在步骤S6形成的半成品结构表层低压力化学气相沉积多晶硅，所述多晶硅的沉积厚度大于3μm,且所述多晶硅填满所述刻蚀形成的槽；

S8、对所述多晶硅进行表面平坦化；

S9、去除氮化硅层，再进行场氧化，形成场氧化层。

2.根据权利要求1所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，所述SDB硅片由上至下包括顶层硅、埋氧层和衬底，步骤S4中得到的槽刻至所述埋氧层。

3.根据权利要求2所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，在步骤S1之前，制作SDB硅片，其顶层硅的厚度为20μm,所述埋氧层的厚度范围为5-6μm。

4.根据权利要求1所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，步骤S8中采用CMP工艺对所述多晶硅进行表面平坦化。

5.根据权利要求1所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，步骤S6中生长环境的气压为10.8个标准大气压，所述二氧化硅的生长厚度范围为1.76μm。

6.根据权利要求1所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，步骤S4深槽刻蚀得到宽度为6.1μm的槽。

7.根据权利要求1所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，步骤S4中湿法腐蚀工艺采用的湿法腐蚀液包括KOH、EPW、TMAH中的任意一种。

8.一种基于SOI的介质隔离结构，其特征在于，采用如权利要求1-7中