深度解析(2026年)SJT 11976-2025《绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶》.pptxVIP

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目录

一、解码产业命脉：专家视角深度剖析IGBT核心材料战略标准SJ/T11976-2025的划时代意义

二、从实验室到生产线：深度解读标准如何定义NTD区熔硅单晶的“理想型”与严苛质量指标体系

三、嬗变之谜与技术瑰宝：探寻中子掺杂（NTD）工艺原理及其在标准中设定的精密控制参数体系

四、不止于均匀：专家深度剖析标准中电阻率分布、微观缺陷与晶体完美度的多维协同要求

五、杂质管控的艺术：解读标准对关键杂质元素限值的科学依据及其对IGBT可靠性的致命影响

六、匹配未来高压极限：(2026年)深度解析标准如何引导硅单晶材料支撑下一代高压、高功率IGBT发展

七、质量一致