CN112133792A 一种太阳能电池及其制作方法 （青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112133792A

(43)申请公布日2020.12.25

(21)申请号202011085273.2(74)专利代理机构深圳市铭粤知识产权代理有

(22)申请日

(22)申请日2020.10.12

(71)申请人青海黄河上游水电开发有限责任公

代理人孙伟峰

司光伏产业技术分公司(51)Int.CI.

地址810007青海省西宁市西宁经济技术HO1L31/18(2006.01)

开发区昆仑东路20号

申请人黄河水电光伏产业技术有限公司

国家电投集团黄河上游水电开发有

限责任公司

青海黄河上游水电开发有限责任公

司

(72)发明人常纪鹏张敏李得银王冬冬

陈燕杨超陈丹石慧君

马岩青陶延宏

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种太阳能电池及其制作方法

CN112133792A

CN112133792A

(57)摘要

本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，

包括：在P型硅基底的背面和侧面上形成用于阻挡磷离子的隔离层；在P型硅基底的正面上进行磷掺杂；去除隔离层；在正面上形成正面电极；在背面上形成背面电极。本发明还公开了通过上述方法来制作的太阳能电池。本发明解决了现有技术中，刻除非必要掺杂区时，碱性溶液可能会绕流到硅基底的正面，从而损坏硅基底正面的pn结的问题。

在P型硅基底的背面和侧面上形成用于阻挡磷离子的隔离层

在P型硅基底的正面上进行磷掺杂，以形成正面的结

采用溶解液去除隔离层

在正面上形成正面电极

在背面上形成背面电极

S1

S2

S4

CN112133792A权利要求书1/1页

2

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在P型硅基底的背面和侧面上形成用于阻挡磷离子的隔离层；

在所述P型硅基底的正面上进行磷掺杂；

去除所述隔离层；

在所述正面上形成正面电极；

在所述背面上形成背面电极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除所述隔离层之前，所述制作方法还包括：

对所述正面的即将形成所述正面电极的区域进行二次磷掺杂，以形成选择性发射区。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述正面上形成所述正面电极之前，所述制作方法还包括：在所述正面上形成增透层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述正面上形成所述正面电极的方法包括：

在所述增透层上印刷含有腐蚀性溶剂的银浆，使所述含有腐蚀性溶剂的银浆刻穿所述增透层后与所述选择性发射区进行接触；

固化所述含有腐蚀性溶剂的银浆，以形成所述正面电极。

5.根据权利要求1至4任一所述的制作方法，其特征在于，在所述背面上形成背面电极之前，所述制作方法还包括：

在所述背面上形成钝化层；

对所述钝化层进行图案化而形成图案化开槽，以暴露所述背面的部分区域；

在所述图案化开槽内填充铝浆后对所述铝浆进行热处理，以形成背场区。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述背面上形成背面电极的方法包括：

在所述钝化层上印刷银浆，使所述银浆与所述背场区进行接触；

固化所述银浆，以形成所述背面电极。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述隔离层由二氧化硅或者氮化硅制成，所述溶解液为氢氟酸溶液。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述P型硅基底的正面上进行磷掺杂之前，所述制作方法还包括：

在室温条件下，采用体积比为5%～15%的氢氧化钠溶液，对所述正面进行30秒～120秒的清洗；

对清洗后的所述正面进行制绒。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述P型硅基底的背面和侧面上形成用于阻挡磷离子的所述隔离层之前，所述制作方法还包括：

将所述P型硅基底浸泡在体积比为2%～5%的氢氧化钠或者氢氧化钾溶液与去离子水的混合溶液中进行抛光；

其中，所述混合溶液的温度为70℃~80℃,抛光时间为3分钟～5分钟。

10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池由权利要求1至9任一所述的制作方法来制作。

CN112133792A说明书