CN113991030B 一种像素结构及其制作方法、显示面板、电子设备 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113991030B(45)授权公告日2023.10.10

(21)申请号202111254918.5

(22)申请日2021.10.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113991030A

(43)申请公布日2022.01.28

(73)专利权人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号专利权人成都京东方光电科技有限公司

(72)发明人辛燕霞贺伟卓永赵彧

李雪萍李海博吴奕昊王晓云谭成徐宁

(51)Int.CI.

H10K50/13(2023.01)

H10K50/805(2023.01)H10K59/122(2023.01)H10K71/00(2023.01)

(56)对比文件

CN113066838A,2021.07.02

CN109346505A,2019.02.15

CN108717942A,2018.10.30

CN108649050A,2018.10.12

US2018342563A1,2018.11.29审查员陈凯妍

(74)专利代理机构北京金信知识产权代理有限

公司11225

专利代理师庄何媛范继晨

权利要求书1页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种像素结构及其制作方法、显示面板、电子设备

(57)摘要

CN113991030B本公开提供了一种像素结构及其制作方法、显示面板、电子设备，该像素结构包括：在位于平坦层的第一预设位置和/或位于发光区域限制层的第二预设位置处设置有反射凹槽，平坦层和/或发光区域限制层与第一预设位置和/或第二预设位置对应的区域在制作时形成预设形状的凹陷，使发光层在制作时在凹陷处断开。本公开通过在像素结构的预设位置处设置反射凹槽，反射凹槽在受到光照时形成光的衍射汇聚，使平坦层和/或发光区域限制层与预设位置对应的区域曝光形成预设形状的凹陷，在后续进行发光层和阴极层制作时，发光层会在凹陷处出现断裂，使像

CN113991030B

EL隔断结构凹陷

反射凹槽

CN113991030B权利要求书1/1页

2

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

依次设置的基板、平坦层、阳极层、发光区域限制层、发光层以及阴极层；其中，

在位于所述平坦层的第一预设位置和/或位于所述发光区域限制层的第二预设位置处设置有反射凹槽，所述平坦层与所述第一预设位置对应的区域和/或所述发光区域限制层与所述第二预设位置对应的区域在制作时形成预设形状的凹陷，使所述发光层在制作时在所述凹陷处断开；

其中，所述第一预设位置为相邻两个像素之间的平坦层底部；所述第二预设位置为任意一个像素的坡度区的发光区域限制层底部；

在所述反射凹槽设置在所述第一预设位置处时，在所述预设形状的凹陷的截面形状中，所述平坦层与所述发光层之间接触的表面上所形成的开口宽度为第一宽度，所述平坦层与所述发光区域限制层之间接触的表面上所形成的开口宽度为第二宽度，并且所述第一宽度小于所述第二宽度；

在所述反射凹槽设置在所述第二预设位置处时，所述预设形状的凹陷的截面形状为曲率大于第一阈值的弧形。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述发光层为双层堆栈结构。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述反射凹槽的长度为5至30微米。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述反射凹槽的侧边与底边之间的坡度角为30至85度。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，在所述反射凹槽设置在所述第一预设位置处时，所述反射凹槽的宽度为5至15微米；

在所述反射凹槽设置在所述第二预设位置处时，所述反射凹槽的宽度为2至3微米。

6.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上设置平坦层，并且在所述平坦层的第一预设位置设置反射凹槽；

在所述平坦层上制作阳极层以及发光区域限制层，使所述平坦层与所述第一预设位置对应的区域和/或所述发光区域限制层与第二预设位置对应的区域在刻蚀过程中形成预设形状的凹陷；其中，所述第一预设位置为相邻两个像素之间的平坦层底部，所述第二预设位置为任意一个像素的坡度区的发光区域限制层底部；

在所述发光区域限制层上制作发光层以及阴极层，使所述发光层在制