CN114121677A 一种fdsoi器件的沟道制作工艺优化方法 （澳芯集成电路技术(广东)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114121677A布日2022.03.01

(21)申请号202210096839.4

(22)申请日2022.01.27

(71)申请人澳芯集成电路技术(广东)有限公司地址510000广东省广州市黄埔区香雪大

道中85号1601-1607房

申请人广东省大湾区集成电路与系统应用

研究院

(72)发明人贺鑫叶甜春朱纪军罗军李彬鸿赵杰

(74)专利代理机构无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)32260

代理人苗雨

(51)Int.CI.

H01L21/336(2006.01)

HO1L29/786(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种FDSOI器件的沟道制作工艺优化方法

(57)摘要

CN114121677A本发明公开了一种FDSOI器件的沟道制作工艺优化方法，其可使沟道减薄，以满足栅极长度缩短、良好短沟道效应控制作用，同时可避免因沟道减薄而导致的源漏极电阻值增加、外延生长源漏极缺陷等问题出现，沟道制作工艺优化方法包括以下步骤：在晶圆上生长衬底，在衬底上依次制备隔离槽、沟道层、栅极层、源漏极区；对栅极层进行选择性刻蚀，使栅极层下方的沟道层暴露出来；选择性氧化暴露出的沟道层，获取第一沟道区氧化硅，第一沟道区氧化硅的厚度为第一预定厚度；刻蚀去除第一沟道区氧化硅，获取第二刻蚀槽；在第二刻蚀槽内氧化生长第二沟道区

CN114121677A

在晶圆上生长衬底或选用体硅厚度较厚的

在晶圆上生长衬底或选用体硅厚度较厚的SOI晶圆，在衬底上依次制备隔离槽、沟道层、栅极层、源漏极区

S2

对栅极层进行选择性刻蚀，使栅极层下方的沟道层暴露出来

S3

选择性氧化暴露出来的沟道层，获取第一沟道区氧化硅

S4

刻蚀去除第一沟道区氧化硅，获取第二刻蚀槽

S5

在第二刻蚀槽内氧化生长第二沟道区氧化硅

S6

在第二刻蚀槽内生长高K栅介质

S7

在第二刻蚀槽内沉积金属栅介质

CN114121677A权利要求书1/2页

2

1.一种FDSOI器件的沟道制作工艺优化方法，FDSOI器件包括晶圆衬底，所述衬底上分布有埋氧层、隔离槽、沟道层、栅极层、源漏极区，所述衬底、埋氧层、隔离槽自下而上依次分布，所述沟道层位于所述隔离槽的中部，所述栅极层位于所述沟道层的顶端中部，所述源漏极区位于所述栅极层两侧的所述沟道层的上方；其特征在于，

沟道制作工艺优化方法包括以下步骤：S1、在晶圆上生长衬底，在所述衬底上依次制备隔离槽、沟道层、栅极层、源漏极区；

S2、对所述栅极层进行选择性刻蚀，使所述栅极层下方的沟道层暴露出来；

S3、选择性氧化暴露出的所述沟道层，获取第一沟道区氧化硅，所述第一沟道区氧化硅的厚度为第一预定厚度；

S4、刻蚀去除所述第一沟道区氧化硅，获取第二刻蚀槽；

S5、在所述第二刻蚀槽内氧化生长第二沟道区氧化硅，所述第二沟道区氧化硅覆盖所述第二刻蚀槽的内端面，所述第二沟道区氧化硅的厚度为第二预定厚度。

2.根据权利要求1所述的一种FDSOI器件的沟道制作工艺优化方法，其特征在于，步骤S1中，在所述衬底上依次制备隔离槽、沟道层、栅极层、源漏极区的具体步骤包括：S11,在所述衬底上制作埋氧层、体硅层，体硅层厚度为10nm~50nm;

S12、对所述体硅层进行光刻刻蚀以形成所述沟道层，及所述沟道层的两侧的隔离槽；S13、在所述沟道层的上方制作所述栅极层；

S14、外延生长出源漏极区并向所述源漏极区注入离子；

S15、在所述源漏极区、栅极层、隔离槽的外表面依次淀积刻蚀停止层、层间介质层；

S16、采用化学机械研磨工艺对所述层间介质层、刻蚀停止层进行依次研磨，使所述栅极层的顶端暴露出来。

3.根据权利要求2所述的一种FDSOI器件的沟道制作工艺优化方法，其特征在于，所述栅极层包括侧墙、位于所述侧墙内的氧化硅栅介质、多晶硅栅极层，所述氧化硅栅介质位于所述多晶硅栅极层的下方。

4.根据权利要求2或3所述的一种FDSOI器件的沟道制作工艺优化方法，其特征在于，步骤S13中，栅极层制作时，具体步骤包括：S131、生长氧化硅栅介质；S132、在氧化硅栅介质的上表面沉积多晶硅；S133、采用光刻刻蚀工艺对多晶硅、氧化硅栅介质进行刻蚀形成栅介质及多晶硅栅电极；S134