CN111799533A 一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器及其制作方法 （重庆邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN111799533A布日2020.10.20

(21)申请号202010771735.X

(22)申请日2020.08.04

(71)申请人重庆邮电大学

地址400000重庆市南岸区南山街道崇文

路2号

(72)发明人潘武马勇李燚张雪雯沈涛刘艺

(74)专利代理机构成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220

代理人李朝虎

(51)Int.CI.

HO1P1/20(2006.01)

HO1P11/00(2006.01)

GO2B5/20(2006.01)

GO2B5/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器及其制作方法

(57)摘要

CN111799533A21本发明公开一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器，包括图案层和介质层，图案层由N×N个开口双圆环结构单元周期性排列组成，图案层紧贴于介质层表面；所述开口双圆环结构单元包括沿水平方向开口的内圆环、外圆环，开口处的内圆环与外圆环通过连接桥错位连接；本发明提供均是由简单的金属环构成，且结构只有两层，具有体积小、结构简单易加工、易集成的特点；本结构对于太赫兹波的角度滤波频率为0.4~1.0太赫兹中的特定频点，在该频点处的滤波角为0°,3dB

CN111799533A

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CN111799533A权利要求书1/1页

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1.一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器，其特征在于，包括图案层和介质层(1),图案层由N×N个开口双圆环结构单元(2)周期性排列组成，图案层紧贴于介质层(1)表面；

所述开口双圆环结构单元(2)包括沿水平方向开口的内圆环、外圆环，开口处的内圆环与外圆环通过连接桥(3)错位连接。

2.根据权利要求1所述的一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器，其特征在于，所述开口双圆环结构单元(2)呈正方形周期性排列，周期为35.0μm～40μm。

3.根据权利要求1所述的一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器，其特征在于，连接桥(3)一端连接开口上方的内圆环或外圆环，连接桥(3)另一端连接开口下方的外圆环或内圆环。

4.根据权利要求3所述的一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器，其特征在于，开口双圆环结构单元(2)构左右两侧各有1个连接桥，且左侧连接桥与右侧连接桥平行。

5.根据权利要求4所述的一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器，其特征在于，

当左侧连接桥连接开口上方的外圆环和开口下方的内圆环时，右侧连接桥连接开口上方的内圆环和开口下方的外圆环；

当左侧连接桥连接开口上方的内圆环和开口下方的外圆环时，右侧连接桥连接开口上方的外圆环和开口下方的内圆环。

6.根据权利要求1所述的一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器，其特征在于，图案层材料为金、银、铜中的一种，图案层厚度为0.1μm～0.3μm。

7.根据权利要求1所述的一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器，其特征在于，

外圆环外径为：14.0μm～20.0μm,内圆环外径为：8.0μm～14.0μm,外圆环和内圆环宽度均为1.5μm～3.5μm。

8.根据权利要求1所述的一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器，其特征在于，所述介质层采用聚酰亚胺或烧融石英材质，介质层厚度为10μm～200μm。

9.一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

T1:对介质层基底进行去杂质并烘干处理；

T2:将介质层基底置于在超净间内匀胶机转盘上，介质层基底在真空的作用下被吸在转盘上，液体光刻胶置于转盘的中间；介质层基底在转盘的带动下快速旋转，先使转盘低速运转数秒使胶散开，再使转盘高速运转使液体光刻胶在离心力的作用下均匀的覆盖在介质层基底上；

T3:将预制的开口双圆环结构单元的掩模放置在介质层基底上进行曝光；

T4:将介质层基底放入显影液中显影完成对掩模上图形的转移；

T5:采用电子束蒸镀法在介质层基底上镀一层厚度为0.2μm的金膜，镀膜速率为5A/s,采用干法ICP刻蚀去除需曝光处的金属膜，刻蚀速率为10A/s。

10.根据权利要求9所述的一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器制作方法，其特征在于，T3中，利用具有X-Y方向对位功能的汞灯光源将预制的开口双圆环结构单元的掩模放置在