CN111706316B 一种多重介质芯片油藏及其制作和应用方法 （清华大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN111706316B公告日2022.01.07

(21)申请号202010403752.8

(22)申请日2020.05.13

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111706316A

(43)申请公布日2020.09.25

(73)专利权人清华大学

审查员李晶晶

地址100084北京市海淀区清华园

(72)发明人王沫然雷文海杨光

(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司11262

代理人陈丹张奎燕

(51)Int.CI.

E21B49/00(2006.01)

GO6F30/20(2020.01)

权利要求书3页说明书8页附图4页

(54)发明名称

一种多重介质芯片油藏及其制作和应用方法

(57)摘要

CN111706316B一种多重介质芯片油藏及其制作和应用方法。所述多重介质芯片油藏包括至少两个高渗层和至少一个低渗层，每一个所述高渗层的相对的两侧上分别设置有一个进出口。本申请的多重介质芯片油藏能够代表多重介质油藏的重要构特征，同时设计有多个进出口，通过调整进出口的开关能够适用不同的驱替方式，能够模拟多重介

CN111706316B

CN111706316B权利要求书1/3页

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1.一种多重介质芯片油藏，所述多重介质芯片油藏包括至少两个高渗层和至少一个低渗层，每一个所述高渗层的相对的两侧上分别设置有一个进出口；

其中，所述多重介质芯片油藏通过下述方法获得：

(1)选取水驱刚突破后的岩心，对所述岩心的二维切面进行初步扫描，以初步确定岩心结构扫描所需的分辨率；

(2)采用步骤(1)初步确定的分辨率，对所述岩心进行三维结构扫描；

(3)基于步骤(2)得到的三维结构扫描数据，对所述岩心进行三维结构重构以得到所述岩心的含水区域及含油区域，含水区域代表高渗层区域，含油区域代表低渗层区域，分别提取所述岩心的低渗层区域和高渗层区域的三维结构；

(4)基于步骤(3)得到的所述岩心的低渗层区域和高渗层区域的三维结构，分别分析得到所述岩心的低渗层区域和高渗层区域的孔径分布及特征孔径；

(5)根据步骤(4)得到的低渗层区域的孔径分布和特征孔径，将小颗粒随机生长在芯片油藏的低渗层区域中，直到生成结构的孔径分布及特征孔径与所述岩心的低渗层区域的孔径分布及特征孔径类似；

(6)根据步骤(4)得到的高渗层区域的孔径分布和特征孔径，将小颗粒随机生长在芯片油藏的高渗层区域中，并且在设定位置处预留出进出口，直到生成结构的孔径分布及特征孔径与所述岩心的高渗层区域的孔径分布及特征孔径类似，得到芯片油藏结构图片；

(7)将所述芯片油藏结构图片导入到绘图软件中，并在所述绘图软件中绘制芯片油藏结构的进出口，得到芯片油藏设计图；和

(8)将所述芯片油藏设计图刻蚀在基底上，并和在相应位置处设置有进孔和出孔的耐热玻璃阳极键合，得到所述多重介质芯片油藏。

2.根据权利要求1所述的多重介质芯片油藏，其中，所述多重介质芯片油藏包括2N个高渗层和2N-1个低渗层，所述高渗层和所述低渗层按照从上到下依次为高渗层、低渗层、高渗层、低渗层、……、高渗层的方式分布；所述进出口设置有4N个，这里的N为1、2、3、……。

3.根据权利要求1或2所述的多重介质芯片油藏，其中，所述多重介质芯片油藏包括两个高渗层和一个低渗层，所述高渗层和所述低渗层按照从上到下依次为高渗层、低渗层和高渗层的方式分布；所述进出口设置有四个。

4.根据权利要求1所述的多重介质芯片油藏，其中，所述多重介质芯片油藏包括三个高渗层和两个低渗层，所述高渗层和所述低渗层按照从上到下依次为高渗层、低渗层、高渗层、低渗层和高渗层的方式分布；所述进出口设置有六个。

5.一种多重介质芯片油藏的制作方法，包括：

(1)选取水驱刚突破后的岩心，对所述岩心的二维切面进行初步扫描，以初步确定岩心结构扫描所需的分辨率；

(2)采用步骤(1)初步确定的分辨率，对所述岩心进行三维结构扫描；

(3)基于步骤(2)得到的三维结构扫描数据，对所述岩心进行三维结构重构以得到所述岩心的含水区域及含油区域，含水区域代表高渗层区域，含油区域代表低渗层区域，分别提取所述岩心的低渗层区域和高渗层区域的三维结构；

(4)基于步骤(3)得到的所述岩心的低渗层区域和高渗层区域的三维结构，分别分析得到所述岩心的低渗层区域和高渗层区