CN111710756A 一种新型perc电池及其制作方法 （苏州腾晖光伏技术有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111710756A

(43)申请公布日2020.09.25

(21)申请号202010620151.2

(22)申请日2020.07.01

(71)申请人苏州腾晖光伏技术有限公司

地址215500江苏省苏州市常熟沙家浜常

昆工业园腾晖路1号申请人南京航空航天大学

(72)发明人许亚军魏青竹倪志春沈鸿烈杨智钱洪强张树德连维飞

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人王晓坤

(51)Int.CI.

HO1L31/18(2006.01)

H01L31/068(2012.01)

H01L31/0216(2014.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种新型PERC电池及其制作方法

(57)摘要

CN111710756A本申请公开了新型PERC电池制作方法，包括获得正面具有N型掺杂层的硅衬底；在硅衬底的正面形成氧化硅层；在氧化硅层背离硅衬底的表面形成非晶硅层；对非晶硅层进行扩散和晶化处理得到重掺杂的多晶硅层：将硅衬底置于扩散设备中，首先通入扩散源对非晶硅层进行掺杂，然后通入保护性气体对掺杂进行推进，再次通入扩散源对非晶硅层进行掺杂；在多晶硅层背离氧化硅层的表面形成图形为正面金属化图案的掩膜，并对多晶硅层和氧化硅层进行回刻处理；在硅衬底的背面形成第一钝化膜，并在硅衬底的正面形成第二钝化膜；对第一钝化膜进行开槽处理，并分别制作正面电极和背面电极，得到新型PERC电

CN111710756A

获得正面具有N型掺杂层的硅衬底

在所述硅村底的所述正面形成氧化硅层

在所述氧化硅层背离所述硅村底的表面形成非晶硅层

对所述非晶硅层进行扩散和晶化处理得到重掺杂的多晶硅层：将所述硅衬底置于扩散设备中，首先通入扩散源对所述非晶硅层进行掺杂，然后通入氮气对掺杂进行推进，再次通入扩散源对所述非晶硅层进行掺杂

在所述多晶硅层背离所述氧化硅层的表面形成图形为正面金属化图案的掩膜，并对所述多晶硅层和所述氧化硅层进行回刻处理

在所述硅衬底的背面形成第一钝化膜，并在所述硅衬底的所述正面形成第二钝化膜

对所述第一钝化膜进行开槽处理，并分别制作正面电极和背面电极，得到新型PERC电池

S101

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S104

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S106

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CN111710756A权利要求书1/2页

2

1.一种新型PERC电池制作方法，其特征在于，包括：

获得正面具有N型掺杂层的硅衬底；

在所述硅衬底的所述正面形成氧化硅层；

在所述氧化硅层背离所述硅衬底的表面形成非晶硅层；

对所述非晶硅层进行扩散和晶化处理得到重掺杂的多晶硅层：将所述硅衬底置于扩散设备中，首先通入扩散源对所述非晶硅层进行掺杂，然后通入保护性气体对掺杂进行推进，再次通入扩散源对所述非晶硅层进行掺杂；

在所述多晶硅层背离所述氧化硅层的表面形成图形为正面金属化图案的掩膜，并对所述多晶硅层和所述氧化硅层进行回刻处理；

在所述硅衬底的背面形成第一钝化膜，并在所述硅衬底的所述正面形成第二钝化膜；

对所述第一钝化膜进行开槽处理，并分别制作正面电极和背面电极，得到新型PERC电

池。

2.如权利要求1所述的新型PERC电池制作方法，其特征在于，对所述多晶硅层和所述氧化硅层进行回刻处理包括：

利用酸性溶液去除未与所述掩膜对应的磷硅玻璃，其中，所述磷硅玻璃在形成所述多晶硅层时产生；

利用碱性溶液去除所述掩膜；

利用碱性溶液去除未与所述掩膜对应的所述多晶硅层；

利用酸性溶液去除未与所述掩膜对应的所述氧化硅层和与所述掩膜对应的所述磷硅玻璃。

3.如权利要求1所述的新型PERC电池制作方法，其特征在于，在所述硅衬底的背面形成第一钝化膜包括：

在所述硅衬底的背面形成氧化铝层；

在所述氧化铝层背离所述硅衬底的表面形成氮化硅层。

4.如权利要求1所述的新型PERC电池制作方法，其特征在于，所述硅衬底的所述正面形成第二钝化膜包括：

所述硅衬底的所述正面形成氧化硅层；

在所述氧化硅层背离所述硅衬底的表面形成氮化硅层。

5.如权利要求1所述的新型PERC电池制作方法，其特征在于，在所述多晶硅层背离所述氧化硅层的表面形成图形为正面金属化图案的掩膜包括：

利用丝网印刷法或者喷墨打印法形成所述掩膜。

6.如权利要求1所述的新型PERC电池制作方