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氨热法生长GaN体单晶的技术剖析与物性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，从以硅（Si）、锗（Ge）为代表的第一代半导体，到以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体，再到如今以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等为代表的第三代半导体，每一次的材料革新都推动着电子技术实现跨越式发展。其中，氮化镓凭借其宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率以及高热导率等优异特性，成为了半导体领域的研究热点与发展前沿，在光电子、电力电子以及射频微波等众多关键领域展现出了巨大的应用潜力。

在光电子领域，氮化镓基发光二极管（LED）已广泛应用于照明、显示等方面，极大地改变了人