碳化硅单晶片残余应力测试 光弹法标准立项修订与发展报告.docx

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《碳化硅单晶片残余应力测试光弹法》标准立项与发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheStandardizationProject:TestMethodforResidualStressinSiliconCarbideMonocrystallineWafers—PhotoelasticityMethod

摘要

碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，在高压、高频、高温应用场景中展现出不可替代的优势，是支撑5G通信、新能源汽车、轨道交通、智能电网等国家战略性新兴产业发展的关键基础材料。随着我国“十四五”规划及